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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 2607 0
IGBT實在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 4659 0
采用IGBT作為功率開關(guān)的500W太陽能逆變器設(shè)計
在全球的綠色能源發(fā)展趨勢下,越來越多的家用電器、照明設(shè)備、電動工具、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及其它工業(yè)設(shè)備開始采用太陽能供電,將太陽能量轉(zhuǎn)換為所需...
2010-11-04 標(biāo)簽:功率開關(guān)IGBT 4622 0
門控管(IGBT)是由場效應(yīng)管作為推動管。 大功率管作為輸出管的有機組合。應(yīng)用于電磁灶等的大電流、高電平電器中
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動電路的主要干擾源及耦合途徑,在此基礎(chǔ)上對lGBT驅(qū)動電路EMC設(shè)計的一些問題進行了研究,重點討論了光纖傳輸信號、輔助電源設(shè)
由于現(xiàn)在經(jīng)濟的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個更高的效率,更低的成本。而對于一個高性能的系
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效...
2010-07-29 標(biāo)簽:IGBT 2027 0
下為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設(shè)計出最大可驅(qū)動300A/1700V的IGBT驅(qū)動板,落木源電子所生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動板是在此基礎(chǔ)上增加了更多保護...
富士電機電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 富士電機電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 技術(shù)從1988 年開始產(chǎn)品化,至今一直在市場上供應(yīng)。圖 1-3 中表現(xiàn)了從第一代
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 1590 0
IGBT的構(gòu)造和功率MOSFET的對比如圖 1-1 所示。IGBT 是通過在功率MOSFET 的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,從而具有以
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 3561 0
富士電機IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號對照表
注:只列出封裝相同之模塊;-50表示RoHs 富士電機S系列PIM模塊
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 2461 0
IGBT的基礎(chǔ)知識--IGBT的基本結(jié)構(gòu),參數(shù)選擇,使用注意
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據(jù)國
2010-05-27 標(biāo)簽:IGBT 1.3萬 0
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所...
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐...
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
華潤微電子IGBT工藝平臺通過產(chǎn)品設(shè)計驗證
華潤微電子IGBT工藝平臺通過產(chǎn)品設(shè)計驗證 由中國科學(xué)院微電子研究...
優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思
優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思 中心議題: 優(yōu)化高電壓IGBT 解決方案: 高側(cè)晶體管
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