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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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集成電路TLP250構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)器及電路
集成電路TLP250構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)器及電路
2010-03-14 標(biāo)簽:IGBT 2.2萬(wàn) 3
如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT? 什么是IGBT?其工作原理是什么?為什么大家要選擇IGBT?它的優(yōu)勢(shì)是什么?一系列疑問(wèn)的拋出,在3月5日第十五屆國(guó)...
2010-03-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)IGBT 1321 0
IGBT的工作原理是什么? IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體...
2010-03-05 標(biāo)簽:igbt 9.8萬(wàn) 2
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 標(biāo)簽:IGBTIGBT結(jié) 5487 0
H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
H橋IGBT功率單元 本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元,其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 標(biāo)簽:IGBT 3912 0
GA系列IGBT半橋、高端開(kāi)關(guān)和低端開(kāi)關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
GA系列IGBT半橋、高端開(kāi)關(guān)和低端開(kāi)關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 1833 0
M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的應(yīng)用電路
M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的應(yīng)用電路
2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 5071 0
兩個(gè)反向阻斷型IGBT反向并聯(lián)時(shí)的電路和關(guān)斷波形電路
兩個(gè)反向阻斷型IGBT反向并聯(lián)時(shí)的電路和關(guān)斷波形電路
2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 2142 0
N溝道IGBT的簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)電路
N溝道IGBT的簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)電路
2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 1.0萬(wàn) 0
IGBT和續(xù)流二極管的功率模塊單元電路 (a)所示為單開(kāi)關(guān)模塊; (b)所示為兩單元(半橋)模塊; (c)所示為H橋(單相橋)模塊; (d)所示為不對(duì)...
2010-02-17 標(biāo)簽:IGBT 3126 0
硬開(kāi)關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
硬開(kāi)關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
2010-02-17 標(biāo)簽:IGBT 2215 0
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