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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計等方面存在一些差異。下面將詳細介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和GTO(Gate Turn-Off thyrist...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
IGCT指的是集成門控晶閘管(Integrated Gate-Commutated Thyristor),是一種高壓高功率電子器件,也是一種雙向晶閘管,...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)的工作原理是通過對內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓,將PN...
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
一個真實閑聊多模態(tài)數(shù)據(jù)集TikTalk
隨著大量預訓練語言模型在文本對話任務(wù)中的出色表現(xiàn),以及多模態(tài)的發(fā)展,在對話中引入多模態(tài)信息已經(jīng)引起了大量學者的關(guān)注。
2023-02-09 標簽:IGCT數(shù)據(jù)集 2451 0
GCT大都制成逆導型,與非對稱型結(jié)構(gòu)不同,它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同,可承受相同的阻斷電壓。
GTO的基本結(jié)構(gòu)和基本工作原理是什么?詳細概述
GTO是一種電流控制型的自關(guān)斷雙極型器件。跟全控器件BJT一樣,當門極(對晶體管稱基極)引入正向電流時導通,引入反向電流時關(guān)斷,但不能像BJT那樣在門極...
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