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標(biāo)簽 > mdd
MDD是國內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計能力,同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件
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高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時間控制方案
在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用(如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動)中,MDD整流橋的選型和設(shè)計直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性(EMC)。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI(電磁干...
整流橋失效深度剖析:MDD從過載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案
MDD整流橋是電子設(shè)備中最常見的功率器件之一,被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、工業(yè)控制、變頻器、汽車電子和家電電源等領(lǐng)域。然而,在長期運(yùn)行或極端工況下,整流橋可能...
2025-03-11 標(biāo)簽:整流橋機(jī)械應(yīng)力MDD 565 0
整流橋選型十大陷阱:MDD從電流諧波到散熱設(shè)計的實(shí)戰(zhàn)解析
在工業(yè)電源設(shè)計中,整流橋選型失誤可能引發(fā)災(zāi)難性后果。某光伏逆變器項(xiàng)目因忽略反向恢復(fù)電荷(Qrr)導(dǎo)致整機(jī)效率下降8%,直接損失超百萬元。本文結(jié)合MDD(...
驅(qū)動電路設(shè)計踩坑錄:MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)
在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱,導(dǎo)致整機(jī)返修率...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動工具的高效作業(yè),都離不開一...
MOS管選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD
在電力電子設(shè)計中,MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管,直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體...
在電子系統(tǒng)設(shè)計中,MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐,深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略,為電路可靠性...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體橋堆是一種用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電路器件,它通過將交流電的正負(fù)半周期分別轉(zhuǎn)換為同一極性的直流電信號,整流橋一般由四個二極管組成,可以...
靜電是如何產(chǎn)生的 任何兩個不同材質(zhì)的物體接觸后再分離,即可產(chǎn)生靜電,而產(chǎn)生靜電的普遍方法,就是摩擦生電。材料的絕緣性越好,越容易產(chǎn)生靜電。因?yàn)榭諝庖彩怯?..
電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集,計算進(jìn)而控制電池的充放電過程,...
TVS和ESD都是利用二極管反向擊穿特性的原理制成的電壓保護(hù)型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)抑制二極...
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
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