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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開(kāi)關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1654 0
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和人們生活水平的不斷提高,公眾對(duì)文化娛樂(lè)設(shè)施提出了更高要求,游泳作為一項(xiàng)健身運(yùn)動(dòng)受到了越來(lái)越多人的歡迎,全球的泳池?cái)?shù)量呈持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。...
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路電路圖 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理和控制方式
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域的電子電路,其名稱(chēng)來(lái)源于其形狀類(lèi)似于英文字母“H”的電路布局。H橋電路主要用于控制直流電機(jī)(包括有刷直流電機(jī)...
2024-06-21 標(biāo)簽:電路圖MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬(wàn) 0
普賽斯儀表 | 二極管/三極管/MOS管電性能測(cè)試解決方案
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之—是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高...
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,但它...
MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種廣泛應(yīng)用于集成電路中的微型電子元件。 MOS管即MOSFET,中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,MOS管在電源、電力電子、電機(jī)控制...
MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。然而,在MOS管的工作過(guò)程中,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...
示波器,作為電子工程師和科學(xué)家的基本工具之一,廣泛應(yīng)用于電子信號(hào)的測(cè)量和分析中。在涉及多個(gè)通道波形時(shí)間相關(guān)參數(shù)的測(cè)量中,如功率MOS管的雙脈沖測(cè)試,相位...
求一種基于中微愛(ài)芯AiP8F50XX觸摸MCU的加濕器方案
室內(nèi)濕度過(guò)低時(shí),干燥的空氣容易奪走人體的水分,使皮膚干燥、鼻腔粘膜受到刺激,誘發(fā)呼吸系統(tǒng)病癥。因此我們迫切需要一個(gè)優(yōu)秀的加濕器方案,來(lái)幫助大家對(duì)抗干燥,...
2024-05-17 標(biāo)簽:MOS管RGBPCB設(shè)計(jì) 688 0
MOT03/252024什么是MOS管?MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Ox...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
此時(shí)它的發(fā)熱功率最大,隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通,功率變成了100*100*0.003=30w,假設(shè)這個(gè)MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆,那這個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程的發(fā)熱功率...
2024-04-30 標(biāo)簽:電流MOS管散熱設(shè)計(jì) 3058 0
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對(duì)電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏電流 1042 0
熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時(shí),由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...
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