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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
此時它的發(fā)熱功率最大,隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通,功率變成了100*100*0.003=30w,假設(shè)這個MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆,那這個開關(guān)過程的發(fā)熱功率...
2024-04-30 標(biāo)簽:電流MOS管散熱設(shè)計(jì) 2870 0
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管漏電流 967 0
熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時,連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時,由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...
關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)
更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低,首先從同步整流工作異常開始著手測量。如圖1所示,在同步整流驅(qū)動波形測量的同時用熱成像儀測量同步整流MOS管的溫度...
2024-04-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管熱成像儀 1547 0
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2430 0
電路設(shè)計(jì)時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
一文詳解開漏輸出和開集輸出的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用
開漏(open-drain)或開集電極(open-collector)輸出引腳由單個晶體管驅(qū)動,將引腳拉到只有一個電壓(通常是接地)。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時,...
熟悉電子電路設(shè)計(jì)的朋友一定都知道,在電源整體設(shè)計(jì)中存在一些發(fā)熱非常嚴(yán)重的器件,如整流橋、MOS管、快恢復(fù)二極管這些器件。
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路:對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 746 0
用FAN73711浮驅(qū)芯片,在起機(jī)時沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象,基本能夠正常工作,但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會發(fā)生炸機(jī),比如在源跳變時會發(fā)生PFC炸機(jī)。
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