mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

半橋驅(qū)動(dòng)電路的作用及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

半橋驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)控制信號(hào)的輸入，在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)控制高側(cè)和低側(cè)開關(guān)器件的導(dǎo)通與截止。通過精確控制開關(guān)的狀態(tài)，半橋驅(qū)動(dòng)電路可以控制電源電壓的輸出和輸出功率的調(diào)節(jié)。

2024-02-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 MOS管開關(guān)器件 7810 0

電源驅(qū)動(dòng)ic的作用是什么電源IC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖

電源驅(qū)動(dòng)IC的作用是提供對(duì)電源開關(guān)器件的精確控制，同時(shí)保護(hù)電源和提供反饋控制功能，幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。

2024-02-05 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PWM 4661 0

為什么要給放大器設(shè)置一個(gè)工作點(diǎn)

在設(shè)計(jì)放大器的時(shí)候，我們都會(huì)給放大器設(shè)置一個(gè)工作點(diǎn)，所謂工作點(diǎn)，就是指管子在直流工作狀態(tài)下，對(duì)應(yīng)的電壓和電流。

2024-01-26 標(biāo)簽：放大器 MOS管電流源 1199 0

掌握MOS管規(guī)格書，參數(shù)縮寫全解析

MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標(biāo)簽：電流 MOSFET MOS管 3301 0

MOS管的參數(shù)縮寫

描述：MOSFET的最大允許電壓。參數(shù)：額定電壓 - VR (Voltage Rating)

2024-01-26 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 2369 0

推挽輸出和開漏輸出的概念及其特點(diǎn)簡(jiǎn)析

推挽（push-pull）輸出是由兩個(gè)MOS或者三極管組成，兩個(gè)管子始終保持一個(gè)導(dǎo)通，另一個(gè)截止的狀態(tài)。

2024-01-25 標(biāo)簽：三極管 MOS管 Vcc 1.3萬 0

為什么小功率無刷直流電機(jī)中的MOS管會(huì)燒毀？

若該電阻太大，因?yàn)镸OS管會(huì)有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長(zhǎng)時(shí)間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管電壓控制 2146 0

110N8F5B場(chǎng)效應(yīng)管在紡織機(jī)械無刷電機(jī)的應(yīng)用

無刷電機(jī)在紡織機(jī)械設(shè)備中是起到讓設(shè)備運(yùn)行更加平穩(wěn)，減少震動(dòng)和噪音，同時(shí)降低能耗和提高控制精度，常見會(huì)有紡紗機(jī)、織布機(jī)、卷繞機(jī)、開松機(jī)等產(chǎn)品都是需要使用到...

2024-01-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管無刷電機(jī) 836 0

MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來講下關(guān)于體二...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電源電壓 6651 0

MOS管為什么很容易失效？MOS管有哪些失效？

在電子元件中，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是獨(dú)特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，導(dǎo)致電路無法正常運(yùn)行，因此工程師必須查找原因...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管靜電放電 1516 0

低功耗MOS管產(chǎn)品HKTD90N03的特性、原理及應(yīng)用

低功耗MOS管具有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，它在很多低壓驅(qū)動(dòng)控制電路和開關(guān)電路中應(yīng)用廣泛。本期，合科泰給大家介紹一款低壓低功耗MOS管產(chǎn)品HKTD90N03，它由合...

2024-01-22 標(biāo)簽：MOS管適配器低功耗 1397 0

開關(guān)電源差模傳導(dǎo)發(fā)射分析

影響開關(guān)電源差模傳導(dǎo)發(fā)射的主要是濾波電容的等效串聯(lián)電阻ESR和等效串聯(lián)電感ESL。

2024-01-22 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電容 MOS管 1853 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)發(fā)射極關(guān)斷晶閘管

發(fā)射極關(guān)斷 (Emitter Turn-Off， ETO）晶閘管具有柵極截止晶閘管的耐高電壓和高電流的能力．以及易于控制 MOS 柵極的優(yōu)點(diǎn)，其他功能包...

2024-01-19 標(biāo)簽：串聯(lián)晶閘管 MOS管 1299 0

高k金屬柵(HKMG)工藝詳解

隨著集成電路工藝技術(shù)不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。為...

2024-01-19 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 MOS管 2.5萬 0

詳解MOS管的分類、特性及工作原理

MOS管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的半...

2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 MOS管 8755 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（二）

下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小，以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻器 MOS管 1064 0

mos管的工作原理及特性是什么

MOS管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...

2024-01-18 標(biāo)簽：MOS管晶體管器件 1510 0

MOS管的基本參數(shù)分析

在高速H橋應(yīng)用中，MOS管內(nèi)部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應(yīng)速度指標(biāo)Trr，也就是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間這個(gè)指標(biāo)很重要，否則容易炸機(jī)，下圖為高速二極管。

2024-01-18 標(biāo)簽：二極管 MOS管寄生 1466 0

超結(jié)MOS在舞臺(tái)燈電源上的應(yīng)用

舞臺(tái)燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率

2024-01-17 標(biāo)簽：電源 MOS管超結(jié)器件 753 0

介紹一款用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的N溝道MOS管HKTG90N03

N溝MOS管作為一種非常常見的MOS管，它是由P型襯底和兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作N溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)間形成N型導(dǎo)電溝道。

2024-01-13 標(biāo)簽：充電器 MOS管散熱器 2060 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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