完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章:2111個(gè) 瀏覽:70329次 帖子:1224個(gè)
MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成,其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分,它由一層金屬和一層氧化物組成,金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的...
工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算后,換成5A的MOS管,問題就解決。為什么用電流裕量更小了,卻能提高可靠性...
2018-11-07 標(biāo)簽:芯片場效應(yīng)管MOS管 7293 0
開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)、作用及基本結(jié)構(gòu)
開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài),實(shí)現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對(duì)...
2023-09-08 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源MOS管 7291 0
buck電路也屬于開關(guān)電源。通過在MOS管Q上加上開關(guān)信號(hào)PWM,控制開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,是電感和電容充放電,這里采用的二極管是肖特基二極管,其特點(diǎn)是...
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好
一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型,所以驅(qū)動(dòng)MOS管,只需要提供一定的電壓,不需要提供電流。
2022-12-26 標(biāo)簽:MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 7265 0
給大家分析一個(gè)按鍵開關(guān)的工作原理,通過對(duì)電路的分析,有助于大家提升自己的電路分析能力。
2023-03-14 標(biāo)簽:led開關(guān)電路MOS管 7246 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管MOS管 7194 0
【實(shí)用電路設(shè)計(jì)案例】緩啟動(dòng)電路實(shí)例分析與應(yīng)用
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題,詳細(xì)分析了MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù),通過分析和實(shí)際對(duì)電路參數(shù)的更改,使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
2022-10-25 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管緩啟動(dòng)電路 7058 0
在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中很多情況下都要考慮EMC的問題。在設(shè)計(jì)中使用MOS管時(shí),在添加散熱片時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。
Flash存儲(chǔ)器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的推挽電路設(shè)計(jì)
了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建,分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán);
2019-05-29 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管推挽電路 7015 0
上一篇文章我們介紹過,為了使MOS管完全導(dǎo)通,需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢,即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好?
Mos問題遠(yuǎn)沒這么簡單,麻煩在它的柵極和源級(jí)間,源級(jí)和漏級(jí)間,柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程(電容電壓不能突變)...
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個(gè)端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |