mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

電源變換器基礎(chǔ)（3）

所有器件接線端子、焊盤以及引線中都存在寄生電感，這部分寄生電感雖然不會消耗能量（元件本身不發(fā)熱），但是通常會在開關(guān)的某一時刻向鄰近電路的電阻性元件泄放其...

2023-05-30 標(biāo)簽：開關(guān)電源 emi MOS管 967 0

電源變換器基礎(chǔ)（2）-開關(guān)電源中的電感

開關(guān)電源主要由：開關(guān)管（BJT/MOS管），續(xù)流二極管（肖特基二極管/快恢復(fù)二極管），電感器以及電容器組成；

2023-05-30 標(biāo)簽：電容器開關(guān)電源電感器 1788 0

MOS管驅(qū)動電路原理與電路布線設(shè)計

一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。

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溝道反型層閾值電壓Vth介紹

如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。

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手把手教你用晶體管搭建邏輯門電路

常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門電路：與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等

2023-05-30 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 1.9萬 0

介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷?？倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 MOS管 9726 0

聊一聊電源內(nèi)部是怎么工作的

我們在電源設(shè)計及調(diào)試過程中，當(dāng)碰到問題的時候，應(yīng)該將自己的思想進入電源內(nèi)部，以自己如果是電源控制部分，碰到這樣的問題該如何解決。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管電源控制 Vcc 1738 0

MOS管開關(guān)時，電壓電流波形的探究

如圖，為什么在Vce下降前ic就開始上升了呢？

2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管波形電壓電流 1.0萬 0

四種防反接電路匯總

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三電平全橋LLC電路工作原理

三相模塊的母線電壓可以達到800V，如果DCDC仍然采用傳統(tǒng)的兩電平拓撲，那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。而目前市場上這樣的MOS管...

2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管 PWM LLC 2912 0

分享幾個常用的電平轉(zhuǎn)換電路

比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進行通訊建立連接關(guān)系時，就需要進行電平轉(zhuǎn)換。

2023-05-29 標(biāo)簽：二極管上拉電阻 MOS管 4407 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（2）

Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

2023-05-26 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 1.6萬 0

鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動電流 2359 0

MOS管知識點梳理

場效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)管和金屬...

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 1251 0

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之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

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2023-05-24 標(biāo)簽：MOS管 STM32 正反轉(zhuǎn) 1.1萬 0

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在做信號控制以及驅(qū)動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。

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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識

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2023-05-23 標(biāo)簽：封裝 MOS管晶體管 1829 0

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2023-05-23 標(biāo)簽：放大器穩(wěn)壓器 ldo 4.8萬 1

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