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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平,諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...
分享幾種常用的三極管和MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用電路
咱們電路設(shè)計(jì)中,用的最多的就是三極管和MOS管,今天給大家分享幾種常用的三極管和MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用電路。
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi)又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3840 0
適合發(fā)射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓(此處為GND)0.7V,即發(fā)射結(jié)正偏(VBE為正),NPN型三極管即可開(kāi)始導(dǎo)通。
MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別?這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元,一個(gè)獨(dú)立的器件,就算拆開(kāi)外殼,用肉眼也找不出什么差別,從工作原理上理解又謷牙詰...
IR21814后面接推挽放電電路。不同的是,為了MOS管的可靠關(guān)斷,在推挽后面增加負(fù)壓電路,C338/D318和C340/D322。當(dāng)DCPWM1A輸入...
2023-03-28 標(biāo)簽:MOS管工作原理驅(qū)動(dòng)電路 1.2萬(wàn) 0
非隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR21814S的電路設(shè)計(jì)
IR21814類(lèi)似的驅(qū)動(dòng)芯片直接驅(qū)動(dòng)MOS管,該電路具有驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,成本低,PCB占用面積小等優(yōu)點(diǎn),在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是,所采用的LLC諧振拓...
2023-03-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3251 0
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.0萬(wàn) 0
MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管(簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS)和N溝道MOS管(簡(jiǎn)稱(chēng)NMOS),符號(hào)如下(此處只討論...
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
MOS管的工作原理 采用MOS管開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)
初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識(shí)后,一般的就可以簡(jiǎn)單的分析,采用MOS管開(kāi)關(guān)電源的電路了。
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法
MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類(lèi)。
最近一直在說(shuō)MOS管的知識(shí),就有朋友留言說(shuō)能具體說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程嗎,那我們今天來(lái)說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過(guò)程。
前面說(shuō)了一些MOS管的知識(shí),就有同學(xué)留言說(shuō)能不能說(shuō)一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理,那我們今天來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)一下,首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來(lái)劃分的...
在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前,需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗,輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過(guò)程。
2023-03-26 標(biāo)簽:MOS管LNA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3773 0
在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的,對(duì)各階段做了定量分析,相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
對(duì)于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動(dòng)的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...
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