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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的快速開啟和關(guān)閉（MOS管驅(qū)動電路設(shè)計）
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響...
寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導(dǎo)通，反接截止，對于NMOS，當(dāng)S極接正，D極接負，寄生二極管會導(dǎo)通，反之截止；對于PMOS管，當(dāng)D極接正，S極接負，...
2023-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管IGBT 2413 0
起初，小明拋出問題后，群里討論的很熱鬧，眾說紛紜。有說一兩百的，有說幾百的，也有說510+Rdson，當(dāng)然也有質(zhì)疑通電不應(yīng)該測電阻的…
在現(xiàn)實世界中，電子電路所處的周圍環(huán)境總是變幻莫測的。 人體靜電、雷擊浪涌、誤操作等諸多不可預(yù)料的因素時刻威脅著電子設(shè)備的正常工作。 因此保護電路的作用與...
本文介紹一種電氣防火限流式保護器及其安全啟動方法，以實現(xiàn)一種開機流程安全啟動的電氣防火限流式保護器，保證電氣防火限流式保護器在負載短路的狀態(tài)下安全的啟動。
我們在使用外接電源類產(chǎn)品時，可能會因一時疏忽將將電源線接反，導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計角度來講，如果把電源做成防反接的，那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計...
充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場調(diào)研
隨著電動汽車的快速發(fā)展，充電樁作為電動汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來越受到中央和地方政府的重視，對充電樁電源模塊的要求也越來越高，充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
FP6291在USB轉(zhuǎn)DC輸出充電線應(yīng)用
FP6291是一款異步內(nèi)置MOS管升壓恒壓芯片，與外部肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu)。
介紹下18W內(nèi)置4A MOS電源管理ic U6237D
18W電源管理ic U6237D是一款高性能原邊控制器，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。
通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔(dān)任著很重要的角色，PSU問題將會導(dǎo)致整個通訊設(shè)備無法正常運作。常見的通信電源PSU拓撲有橋式、推挽以及正在興起的非隔離IBB...
2023-03-02 標(biāo)簽：MOS管電源系統(tǒng)驅(qū)動芯片 1088 0
A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過程及電路分析
將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的電路，稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡稱a/d轉(zhuǎn)換器或adc，analog to digital converter)，A/D轉(zhuǎn)換的作用是將...
2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器運算放大器MOS管 7972 0
MOSFET是一種三端器件，其三個電極分別是柵極、漏極和源極。在MOSFET中，柵極可以控制漏極和源極之間的電流流動。
2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0
MOS管的管腳有三個：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...
MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.3萬 0
只要是做我們電子這一行的，那肯定就會接觸到各種各樣的電源開關(guān)電路，有了開關(guān)電源電路那就意味著肯定也要有開關(guān)，尤其是在對功耗高的電路中間，或者當(dāng)負載短路時...
2023-02-27 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路MOS管 3194 0
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復(fù)合而成，兼...
2023-02-26 標(biāo)簽：MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管)，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬 0
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFE...
2023-02-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管 4624 0
三相600V柵極全橋驅(qū)動IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
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