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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

利用二極管的反接保護(hù)電路

通常我們的電子產(chǎn)品,為防止用戶將正負(fù)極接反,會(huì)對(duì)接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開(kāi)個(gè)缺口,反了不容易插進(jìn),但你真的永遠(yuǎn)不知道你的產(chǎn)品用戶是萌妹紙還...

2022-08-26 標(biāo)簽:二極管MOS管反接保護(hù)電路 7992 0

介紹GPIO的定義和GPIO不同模式間的區(qū)別與實(shí)現(xiàn)方式

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GPIO全稱General Purpose Input Output 即通用輸入/輸出,其實(shí)GPIO的本質(zhì)就是芯片的一個(gè)引腳,通常在ARM中所有的I/O...

2022-08-25 標(biāo)簽:MOS管GPIO低電平 2.1萬(wàn) 0

輸入電源的防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)

在硬件設(shè)計(jì)中,關(guān)于電路保護(hù)的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán),電路保護(hù)的設(shè)計(jì)具體也包括很多方面,比如:防反設(shè)計(jì),過(guò)流保護(hù),過(guò)壓保護(hù),欠壓保護(hù),過(guò)熱保護(hù)等,...

2022-08-25 標(biāo)簽:電源二極管保護(hù)電路 2361 0

MOS管的開(kāi)通過(guò)程

如圖,MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs,Cgd,Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程。

2022-08-25 標(biāo)簽:MOS管米勒電容 8771 0

MOS管該如何抉擇

MOS管是電子制造的基本元件,但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí),該如何抉擇?有沒(méi)有省心、省力的遴選方法?

2022-08-25 標(biāo)簽:元器件MOS管電壓 1949 0

MOS管損壞的五種原因

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2022-08-23 標(biāo)簽:電流MOSFETMOS管 3849 0

米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?

從t1時(shí)刻開(kāi)始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...

2022-08-22 標(biāo)簽:MOS管電容充電輸出電容 4399 0

一文讀懂IGBT

在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見(jiàn)的電子器件就是常見(jiàn)的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見(jiàn)的元器件,但是在一些相對(duì)較高電流的...

2022-08-22 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0

MOSFET晶體管的制造工藝

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MOS場(chǎng)效應(yīng)管(以下簡(jiǎn)稱MOS管)中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu),是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。

2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 9478 0

徹底了解MOS管,我們應(yīng)從兩點(diǎn)入手

徹底了解MOS管,我們應(yīng)從兩點(diǎn)入手

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系,縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開(kāi)關(guān)損耗;最后,驅(qū)動(dòng)MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部,輸出能力很強(qiáng),通常電...

2022-08-19 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6160 0

MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù)

從上圖可以看出沖擊電流很大,達(dá)23.0A,遠(yuǎn)大于滿載工作電流(1A左右),板上電源設(shè)計(jì)指南要求是滿載工作電流的3~5倍,所以需要整改以達(dá)到板上電源要求,...

2022-08-18 標(biāo)簽:電路MOS管浪涌電流 7802 0

功率Mos管損壞主要原因

過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩,但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩,但會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。Mos開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的...

2022-08-17 標(biāo)簽:CMOSMOS管控制器電路 1620 0

如何利用STM32F0單片機(jī)PWM + ADC去控制有刷電機(jī)

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讀取 ADC 的值,寫入 TIM 的 CCR 寄存器,觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機(jī)的特性,還可能需要改變 PWM 的周期。

2022-08-15 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路STM32F0 3468 0

3.7v升壓5v電路圖分享

NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...

2022-08-15 標(biāo)簽:電路圖MOS管升壓轉(zhuǎn)換器 7942 0

MOS管的GS波形分析

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對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開(kāi)關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為...

2022-08-14 標(biāo)簽:MOS管波形RLC 3696 0

OC門和OD門的主要區(qū)別

OC門,又稱集電極開(kāi)路(漏極開(kāi)路)與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。

2022-08-12 標(biāo)簽:MOS管三態(tài)門OC門 1.6萬(wàn) 0

從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來(lái)給大家介紹一下MOS管里面最常見(jiàn)的NMOS

從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來(lái)給大家介紹一下MOS管里面最常見(jiàn)的NMOS

對(duì)于這個(gè)高速的PWM波控制場(chǎng)景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí),這個(gè)波形就會(huì)失真。一般來(lái)說(shuō)Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...

2022-08-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 3429 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡(jiǎn)析

MOS管內(nèi)的體二極管簡(jiǎn)析

PMOS管做開(kāi)關(guān)用,S極作電源輸入,D極作輸出,當(dāng)Vsg大于閾值電壓,MOS管導(dǎo)通,一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小,毫歐級(jí)別,過(guò)幾安培的電流,壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽:MOS管體二極管高電平 1.5萬(wàn) 0

關(guān)于MOS管的詳細(xì)講解

1、三個(gè)極怎么判定?2、他們是N溝道還 是P溝道?3、寄生二極管的方向如何判定?

2022-08-10 標(biāo)簽:MOS管寄生二極管 1745 0

低邊MOS管驅(qū)動(dòng)器是如何工作的

低邊MOS管驅(qū)動(dòng)器是如何工作的

當(dāng)控制電壓由低變高時(shí),柵極電壓開(kāi)始時(shí)有一個(gè)3V的臺(tái)階,分析認(rèn)為是Q3截止后,3.3偏置電壓經(jīng)過(guò)BC結(jié)饋電引起的。

2022-08-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管射極輸出器 3230 0

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  • 調(diào)理電路
    調(diào)理電路
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  • 拓?fù)潆娐?
    拓?fù)潆娐?
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  • NE556
    NE556
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    A類放大器
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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