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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電力場效應(yīng)管，特別是指電力MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1127 0
在我們現(xiàn)實(shí)生活中，能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分，特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn)，如電流驅(qū)動能力強(qiáng)...
MOS管是非常常用的分立器件產(chǎn)品，通常它有三個腳，為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像...
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電（ESD）的損害，這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因，并提出相應(yīng)的解決方案，以幫...
MOS管的一個顯著特點(diǎn)是其高輸入電阻和小的柵-源極間電容。這種結(jié)構(gòu)使得MOS管極易受到外部電磁場或靜電的影響，從而帶電。在靜電較強(qiáng)的環(huán)境下，電荷難以泄放...
飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用
根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示：單相電度表、三相電度表、高壓開關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元，同比分別...
2024-09-04 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)MOS管智能電表 774 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在MPPT控制器的應(yīng)用
對于從事MPPT控制器研發(fā)的工程師來說，在眾多場效應(yīng)管中選出最佳搭檔無疑是一大難題。選型不當(dāng)，不僅會影響控制器效率，還可能拖累整個項(xiàng)目進(jìn)度。面對成千上萬...
2024-09-04 標(biāo)簽：控制器場效應(yīng)管MOS管 605 0
MOS管驅(qū)動芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器，其主要功能是通過控制MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)對電路的高效控制。
MOS管的雪崩是一個涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象，主要發(fā)生在高壓、高電場強(qiáng)度條件下。以下是對MOS管雪崩的詳細(xì)解析，包括其定義、原理、影響、預(yù)防措...
推挽式開關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個固定的數(shù)值，而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來確定。一般來說，推挽式開關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的引腳主要包...
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），通常具有三個引腳。
P溝道MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一...
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損...
LGBT（Light Emitting Bipolar Transistor）是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長壽...
開關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開關(guān)管是一種電子器件，用于控制電流的開關(guān)。在電子電路中，開關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開關(guān)管的基本概念 1.1 定義...
MOS管的損耗是一個復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
占空比（Duty Ratio或Duty Cycle）是指在一個脈沖循環(huán)內(nèi)，通電時間（或有效時間）相對于總時間所占的比例。在電子學(xué)和通信領(lǐng)域，占空比是一個...
開關(guān)電源中的MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管損耗 2669 0
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