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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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這種接法簡單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A，如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管??MUR3020PT，額定管壓...
在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
MOS管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點。以運放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)抑止零點...
功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻有什么用呢？
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。
mos管，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
場效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來操控，關(guān)于增強場效應(yīng)管方面來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。
靠在G極上加一個觸發(fā)電壓，使N極與D極導(dǎo)通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。場效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應(yīng)...
2019-06-26 標(biāo)簽：MOS管p溝道m(xù)os管 4.4萬 0
MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
2019-06-25 標(biāo)簽：MOS管開關(guān)特性 1.5萬 0
敞開電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O操控電壓VGS超越VGS（th）時，漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接前提下ID即是毫安時的柵...
場效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET），我們平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強型和耗盡型而我...
2019-06-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管 4.7萬 0
在OUT端為高電平期間，A點電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點電位下降，N4的導(dǎo)通性下降。同時由于同樣的原因，OUT端電位...
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用...
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 1.8萬 0
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要。可以在MOS管關(guān)斷時為感性負(fù)載的...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 15.2萬 2
MOS管是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類型--結(jié)型M...
有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當(dāng)輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是...
不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損...
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶...
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