mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

從器件的結(jié)溫角度分析產(chǎn)品的可靠性

工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算后，換成5A的MOS管，問題就解決。為什么用電流裕量更小了，卻能提高可靠性...

2018-11-07 標(biāo)簽：芯片場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 7288 0

深度剖析MOS管的分類

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2018-11-06 標(biāo)簽：MOS管 JFET 6908 0

MOS管及簡(jiǎn)單CMOS邏輯門電路

近年來，隨著亞微米技術(shù)的發(fā)展，單片機(jī)的電源呈下降趨勢(shì)。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應(yīng)用中，VDD為2.7...

2018-11-05 標(biāo)簽：CMOS MOS管邏輯電平 2.7萬 0

如何設(shè)計(jì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻

本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)...

2018-11-05 標(biāo)簽：MOS管柵極驅(qū)動(dòng)張飛電子 2.4萬 0

MOS失效的六點(diǎn)原因總結(jié)

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

2018-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 mos管張飛電子 1.3萬 0

解析MOS管的三個(gè)引腳G、S、D都是什么及含義

G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

2018-10-16 標(biāo)簽：MOS管柵極源極 11.7萬 0

MOS管常見與不常見的相關(guān)知識(shí)整理

MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。

2018-10-09 標(biāo)簽：萬用表 MOS管 8744 0

防護(hù)設(shè)計(jì)中無源防護(hù)器件在電源端口的應(yīng)用

今天來認(rèn)識(shí)幾種重要的無源防護(hù)器件，主要針對(duì)這些器件在電源端口的防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。

2018-10-02 標(biāo)簽：電源二極管 mos管 4763 0

如何用萬用表測(cè)試MOS管及更換方法

關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關(guān)知識(shí)，希望對(duì)各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來聊聊MOS管這個(gè)非...

2018-09-29 標(biāo)簽：萬用表場(chǎng)效應(yīng)管 mos管 2.7萬 0

由MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計(jì)方法

開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器，整個(gè)電路均由M...

2018-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)mos管開關(guān)電流 1.3萬 0

LED日光燈電源不燒壞MOS管技術(shù)的4大注意

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的...

2018-10-11 標(biāo)簽：led 變壓器 MOS管 6379 0

NMOS和PMOS的導(dǎo)通特性

項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分

2018-09-23 標(biāo)簽：MOS管 N溝道 p溝道 6.5萬 0

一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器

本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結(jié)合，提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對(duì)該功率放大器的工作...

2018-09-07 標(biāo)簽：功率放大器 MOS管串聯(lián)電感 5188 0

功率管與三極管的區(qū)別是什么淺談三極管的特殊性

MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）的導(dǎo)通壓降下，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動(dòng)不需要電流，損耗小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，自帶保護(hù)二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點(diǎn)開關(guān)速度不高，比較昂貴。

2018-09-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管 2.2萬 0

開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形

IC出來的波形正常，到C1兩端的波形就有振蕩了，實(shí)際上這個(gè)振蕩就是R1,L1和C1三個(gè)元器件的串聯(lián)振蕩引起的，R1為驅(qū)動(dòng)電阻，是我們外加的，L1是PCB...

2018-08-21 標(biāo)簽：芯片二極管 mos管 7541 0

場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路原理

本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路原理，另外還介紹了相關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路圖及其應(yīng)用。

2018-08-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 6.7萬 0

n溝道m(xù)os管工作原理

本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。

2018-08-16 標(biāo)簽：mos管晶體管 n溝道 8.3萬 0

MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)

實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MO...

2018-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 MOS管 6.3萬 0

如何制作一款300W的逆變器？

MOS管3205四只加散熱片，先裝兩只

2018-08-14 標(biāo)簽：MOS管逆變器 1.1萬 1

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理視頻

本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用，最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法。

2018-08-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 3.9萬 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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