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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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預(yù)計2031年全球UPS不間斷電源設(shè)備市場將達(dá)到172.1億美元的規(guī)模，年復(fù)增長率在4.1%左右。面對該千億市場，生產(chǎn)廠家該如何保障自身供應(yīng)鏈穩(wěn)定，從而...
飛虹半導(dǎo)體MOS管在低壓工頻逆變器中的應(yīng)用
在低壓工頻逆變器設(shè)計中，MOS管的選型直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。面對IRFB7537PBF、HY3906P、CS160N06等進(jìn)口型號的供應(yīng)鏈波動，國產(chǎn)...
2025-02-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管逆變器 481 0
2025年關(guān)稅大戰(zhàn)引發(fā)國際貿(mào)易動蕩，對于企業(yè)廠家最需要做的就是強(qiáng)化自身產(chǎn)品優(yōu)勢，強(qiáng)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢才能存活于市場之中。飛虹半導(dǎo)體結(jié)合市場需求，重磅推出抗沖擊...
一個傳導(dǎo)、輻射處理案例-Layout環(huán)路
這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ，輸出48V，273mA的電源，使用美芯晟MT7933，采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...
據(jù)數(shù)據(jù)研究可知，2023年高功率車載逆變器市場規(guī)模預(yù)計為25.4億美元，預(yù)計到2032年將增長至55億美元，2025-2032年的復(fù)合年增長率約為8.9...
2025-03-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管高頻逆變器 464 0
飛虹MOS管在工頻離網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用
出口外貿(mào)是國內(nèi)工廠企業(yè)2025年的一個熱門話題，對于專門從事太陽能工頻離網(wǎng)逆變器的廠家更是爆火。因為隨著全球?qū)η鍧嵞茉吹男枨笤黾?，離網(wǎng)逆變器市場持續(xù)增長...
2025-03-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管逆變器 433 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在高頻逆變器中的應(yīng)用
特朗普上任后，全球局勢將進(jìn)一步不明朗。如何確保自身產(chǎn)品鏈的穩(wěn)定性？今天針對高頻逆變器選擇國產(chǎn)MOS管：FHP230N06V的實際應(yīng)用場景與優(yōu)勢進(jìn)行專業(yè)解析。
本文通過分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
2025-04-01 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管版圖設(shè)計 412 0
音響功放、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器在設(shè)計電路時卡在怎么選型的問題？想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號，但又擔(dān)心成本與供應(yīng)鏈的問題？
2025-03-31 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管步進(jìn)電機(jī) 409 0
Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。01MOSFET的擊穿有...
防反接電路的設(shè)計：使用二極管、整流橋、MOS管等防反接
防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路，常見類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。1二極管防...
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓?fù)洹⑷珮蛲負(fù)潆娐?，而在電路開發(fā)的過程中工程師是需要結(jié)合不同的電路特性來選型的。因此對于推挽拓?fù)洹?..
推挽電路是解決驅(qū)動多個MOS管挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)。通過互補(bǔ)驅(qū)動，推挽電路可快速充電和放電，提高開關(guān)速度。在5V邏輯信號驅(qū)動15V MOS管的場景中，推挽電路...
MOS管在電源控制中的應(yīng)用：正負(fù)極驅(qū)動原理與設(shè)計要點
MOS管因其高效、可靠的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電子電路設(shè)計中。N-MOS和P-MOS的導(dǎo)電載流子類型和電壓極性需求不同，控制負(fù)極和正極需分別采用N-MOS...
本文主要探討了MOS管驅(qū)動電路的幾種常見方案，包括電源IC直接驅(qū)動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動等。電源IC直接驅(qū)動的簡約哲學(xué)適合小容量MOS管，但需要...
破解MOS管高頻振蕩困局：從米勒平臺抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制，作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過閾...
2025-06-18 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 136 0
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計中，驅(qū)動電阻配置對系統(tǒng)運行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動電阻的大小決定了開關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一...
在電力電子系統(tǒng)中，MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力，但需要精準(zhǔn)匹配參數(shù)，如導(dǎo)通電阻與閾值電壓。應(yīng)選擇熱特性相近的器件進(jìn)行組配，并采用門極驅(qū)動芯片配合R...
本文主要介紹了MOS管的靜電防護(hù)問題。通過從源頭隔絕靜電入侵、加裝電壓保險絲和優(yōu)化PCB布局等方式，可以有效防止靜電擊穿。防護(hù)電路設(shè)計的關(guān)鍵策略包括：從...
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