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      標簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注108人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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      第一種: 可以使用如下公式估算： Ig=Qg/Ton 其中： Ton=t3-t0td(on)+tr td(on)：MOS導通延遲時間，從有駛?cè)腚妷荷仙?..

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