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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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展嶸充電站測(cè)評(píng):內(nèi)置電感電容,EM6911打造強(qiáng)勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
隨著電動(dòng)交通和便攜式電子設(shè)備已融入生活的各個(gè)方面,充電技術(shù)的創(chuàng)新正成為電子行業(yè)的焦點(diǎn)。深圳市芯茂微電子有限公司,作為電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),近日推出一款...
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
DC-DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴控制方式
引言:由于電源效率變得越來越重要,會(huì)使用更高的開關(guān)速度來降低損耗(開關(guān)損耗的評(píng)估傳送門:DC-DC-22:如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-2),現(xiàn)常見的開...
俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
如何實(shí)現(xiàn)一種輸入沖擊電流抑制電路設(shè)計(jì)?
在開關(guān)電源的輸入端存在容量較大的電容,由于電容兩端電壓不能突變的特性,設(shè)備接通瞬間電容相當(dāng)于短路,這就導(dǎo)致開關(guān)電源輸入回路在接通瞬間有很大的沖擊電流,當(dāng)...
這是一個(gè)典型的問題,本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振,然而幾天后我發(fā)現(xiàn),當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題,這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為:為什么會(huì)...
2023-08-25 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3217 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備的功能日益強(qiáng)大,對(duì)功率管理的需求也越來越高。在這個(gè)快節(jié)奏的時(shí)代,我們需要一種先進(jìn)的元件來滿足不同應(yīng)用的電源管理需求。ASDM...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOS 793 0
遠(yuǎn)翔DC輸入36V 5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器 內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR 車用充電器/適配器降壓方案
方案名稱遠(yuǎn)翔DC輸入36V5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR車用充電器/適配器降壓方案?IC一般描述FP6151是一款輸入可達(dá)3...
世微_AP2915寬電壓5-100V遠(yuǎn)近光輸入無MOS管切換方案/雙色燈最具性價(jià)比方案
外圍僅需要很少的元器件就可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)光和近光的功能,不再需要MOS切換。遠(yuǎn)光兩個(gè)燈珠亮,近光只亮一個(gè)燈珠
2023-01-03 標(biāo)簽:MOS 966 0
常用MOS電源開關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開關(guān)電路 6.2萬 0
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么
當(dāng)在高速下控制高功率時(shí),有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí),最重要的是避免電流集中,包括過電流,并確保在所有可能的負(fù)載條...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣,沒有電流。
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 1585 1
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