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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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5V2.4A個(gè)護(hù)小家電開(kāi)關(guān)電源芯片U6773V
消費(fèi)者對(duì)于美妝個(gè)護(hù)的需求越來(lái)越精細(xì)化,隨之誕生了許多細(xì)分品類(lèi):腰頸按摩儀、吹風(fēng)機(jī)、鏟皮機(jī)、洗臉儀、脫毛儀、美容儀等等,絕對(duì)是小家電賽道表現(xiàn)最堅(jiān)挺的品類(lèi)之一
2023-05-20 標(biāo)簽:控制器MOS開(kāi)關(guān)電源芯片 740 0
答:三端保險(xiǎn)絲是鋰離子電池二次保護(hù)元件,可同時(shí)在鋰離子電池發(fā)生過(guò)電流、過(guò)電壓時(shí)起到保護(hù)作用,有效減少鋰離子電池因過(guò)充、過(guò)放、短路等故障而起火爆炸的風(fēng)險(xiǎn)。
為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù),減少干擾,平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路,盡管電路的具體形式繁多,不盡相同,工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DC...
2023-05-18 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電源PFC 2392 0
BMS的幾個(gè)硬件設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)
電池管理系統(tǒng)(BatteryManagement System,BMS)的作用是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)放和過(guò)充,延長(zhǎng)電池的使用壽命...
2023-05-15 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOS硬件設(shè)計(jì) 8596 2
LLC變壓器設(shè)計(jì)需特別注意的4方面問(wèn)題
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開(kāi)關(guān)管、第二MOS開(kāi)關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
本節(jié)開(kāi)始我們將開(kāi)啟電路與器件的內(nèi)容,主要是看如何通過(guò)電路與器件來(lái)實(shí)現(xiàn)前面的邏輯關(guān)系。本小節(jié)主要會(huì)聚焦在MOS管特性,由MOS管搭建的簡(jiǎn)單邏輯器件,以及D...
探討筆記本從文字處理工具到錄音室級(jí)通信設(shè)備的轉(zhuǎn)型及背后的技術(shù)
將麥克風(fēng)集成到筆記本電腦中,標(biāo)志著這些機(jī)器從簡(jiǎn)單的文字處理器和數(shù)字運(yùn)算設(shè)備變成了通信平臺(tái)。
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類(lèi)晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
邏輯門(mén)(LogicGates)是集成電路設(shè)計(jì)的基本組件,通過(guò)晶體管或MOS管組成的簡(jiǎn)單邏輯門(mén),可以對(duì)輸入的電平(高或低)進(jìn)行一些簡(jiǎn)單的邏輯運(yùn)算處理,而簡(jiǎn)...
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3204 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1367 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體...
便攜式設(shè)備的開(kāi)關(guān)機(jī)電源電路設(shè)計(jì)
便攜式設(shè)備最大的特點(diǎn)是攜帶方便、可以在任何時(shí)間、任何場(chǎng)合進(jìn)行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個(gè)電量問(wèn)題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備 3668 0
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2512 0
PCB案例分享,分享幾個(gè)以前畫(huà)過(guò)的pcb,確實(shí)能看到進(jìn)步
分享幾個(gè)從本科到研究生期間畫(huà)過(guò)的PCB,可以看到技術(shù)在逐漸進(jìn)步,但是依然有不足的地方,各位且看個(gè)熱鬧。
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單,但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS 1054 0
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