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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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我們這里當(dāng)然不是說規(guī)格書在挖坑,規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個個測出來的,是剛正不阿的存在!
2022-10-17 標(biāo)簽:電容數(shù)據(jù)MOS 5227 0
常規(guī)LDO一般采用PMOS作為功率管,壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優(yōu)于PMOS;ME6403采用NMOS功率MOS,極大程度...
2022-09-30 標(biāo)簽:芯片線性穩(wěn)壓器MOS 3692 0
一、對于一個部件,比如射頻功放,供電是直流48V,其他的接口都是信號的輸入/輸出/控制等,像這類的部件需要單獨(dú)進(jìn)行EMC要求嗎,如果要測試EMC,一般測...
逆變器,別稱為變流器、反流器,是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關(guān)管...
2022-09-14 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器MOS 2.5萬 0
2022-09-14 標(biāo)簽:VCOMOS變?nèi)莨?/a> 2854 0
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個平面可以稱為體...
在汽車電子領(lǐng)域,MOS管的應(yīng)用非常廣泛。其中大部分是用作開關(guān)管的,從電源到各類型的功率驅(qū)動,都少不了MOS管的身影。今天我們來簡單介紹一下汽車電子中,M...
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)...
電路中經(jīng)常會通過較大的電流,這就造成了電路中存在很多不確定的因素。為了避免這些因素對電路或者重要器件的損傷,保護(hù)電路應(yīng)運(yùn)而生。保護(hù)電路在逆變電源這種經(jīng)常...
TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)案例
今天給大家分享下TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)案例,既規(guī)誡自己以后設(shè)計(jì)電路需嚴(yán)謹(jǐn)再嚴(yán)謹(jǐn),也向大家再次從犯錯糾錯的角度介紹TX/RX傳輸?shù)腗OS電...
2022-08-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS電平轉(zhuǎn)換 6633 0
對于單個NMOS來說,在開通時,需要提供瞬間大電流向MOS內(nèi)的寄生電容充電,柵源電壓(VGS)達(dá)到一定閾值后,MOS才能完全開通。在MOS開通后,還需要...
DC-DC開關(guān)電源的開關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因
這一期為大家分享的是:DC-DC開關(guān)電源的開關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因,以及優(yōu)化方案。
2022-07-28 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源DC-DC 2.9萬 0
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2022-07-27 標(biāo)簽:控制器電機(jī)驅(qū)動MOS 2426 0
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
淺析Boost轉(zhuǎn)換器為適配不同的應(yīng)用有著全面的產(chǎn)品解決方案
電子產(chǎn)品中,總是可見DC-DC轉(zhuǎn)換器的身影,DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡化電源電路設(shè)計(jì),縮短研制周期,實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)。
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DCBoost 1360 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考!
MOS的C-V曲線與襯底濃度以及GOX特性的關(guān)系
隨著半導(dǎo)體制程越來越復(fù)雜,我們最關(guān)鍵的參數(shù)Vt的控制越來越重要,有的時候我們的Vt如果單純是襯底濃度影響我們自然可以通過長溝和短溝以及NMOS和PMOS...
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