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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應(yīng)靠近MOS的S極,因?yàn)樵诖穗娮枭汐@取取樣較低的電壓,距MOS的S極遠(yuǎn),總電阻會增加而產(chǎn)生誤差,另外也容易受到外部...
2023-12-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源整流電路MOS 569 0
MOS開關(guān)電路是一種常見的電子電路,用于控制電源的通斷或傳輸信號。它的連接方式取決于具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)。下面將詳細(xì)介紹MOS開關(guān)電路的連接方式。 ...
2023-12-19 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS電子電路 2620 0
隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動力電池的日益成熟,電動汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級車走向A級車及商用車,...
當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞,在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE(self-heating effect)這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要...
MOS結(jié)電容(下)MOS的結(jié)電容應(yīng)用特性分解
我們需要先將結(jié)電容與關(guān)斷波形聯(lián)系起來。三個(gè)結(jié)電容的容值是Vds電壓的函數(shù),同時(shí),電壓Vds的變化(dv/dt)又與結(jié)電容相關(guān)。
MDD | MOS管和三極管的電源開關(guān)電路,NPN 與 PMOS 管組合并非唯一CP
PNP與NMOS管可以組合么? 那今天我們就來講解下關(guān)于MOS管和三極管之間的一些組合優(yōu)勢。 在電子電路中,電源開關(guān)電路是一種常見的電路配置,用于控制電...
2023-12-05 標(biāo)簽:電源三極管開關(guān)電路 1873 0
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3202 0
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動的速度快了70...
國產(chǎn)化顯示器接口芯片:Type-C接口臺式顯示器方案
LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道(不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道) 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運(yùn)動相互影響,這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
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