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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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NP3400AMR(30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP3400A使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP30N03LD6(30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP30N03LD6使用溝技術(shù)獨(dú)特的優(yōu)化提供最有效的高頻率切換的性能。兩個(gè)傳導(dǎo)由于一個(gè)和交換式電源損失最小化 極低的RDS(上)和路上的組合。這設(shè)備...
NP2102EKR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2102EKR設(shè)計(jì)最小化開態(tài)電阻(RDS(上)),但維護(hù)優(yōu)越的切換性能,使它適合高效率電源管理應(yīng)用程序。
NP2302FVR-YB(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-YB使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適用于使用作為PWM負(fù)荷開關(guān)或應(yīng)用程序。
NP2302FVR-J(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-J使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適合作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302FHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302FVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
超結(jié)MOS管65R380的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域
超結(jié)MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
NP2302DVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302D使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302CVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302C使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開關(guān)或應(yīng)用程序。
NP2300MR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
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