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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。...
2022-11-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1739 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史,最早可以追溯到1984年,Arthur Pohm和 Jim Daught...
2022-11-29 標(biāo)簽:MRAM 3106 0
存儲(chǔ)器的歷史始于1984年,彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm,28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的...
2022-11-17 標(biāo)簽:微控制器MRAM非易失性存儲(chǔ)器 754 0
三星半導(dǎo)體宣布,通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了基于MRAM(磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算(In-Memory Computing),進(jìn)一步拓展了三星下世代低功...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器Nand flashMRAM 765 0
MRAM可能是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對(duì)極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí),它們的電阻會(huì)發(fā)生變化,這取決于它...
2022-07-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1191 0
MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)是否可替代取代電子存儲(chǔ)器
一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)已經(jīng)商業(yè)化,在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器,但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心MRAM 2040 0
Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代S...
2022-06-29 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1175 0
MRAM在存算一體上展現(xiàn)出的優(yōu)勢(shì)
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種基于自旋電子學(xué)的新型信息存儲(chǔ)器件,其核心結(jié)構(gòu)由一個(gè)磁性隧道結(jié)和一個(gè)訪問晶體管構(gòu)成。MTJ 呈現(xiàn)“三明治”結(jié)構(gòu),兩層磁性固...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動(dòng)化控制器的存儲(chǔ)器芯片
Everspin了解客戶在工業(yè)市場(chǎng)中對(duì)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲(chǔ)器技...
2022-04-18 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1094 0
Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片—MR25H40CDF
Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Ev...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
2022-01-26 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器everspin 567 0
2021國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長(zhǎng)169.1%;三星宣布發(fā)布全球首個(gè)MRAM存內(nèi)計(jì)算設(shè)計(jì)……
2021國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長(zhǎng)169.1%。近日,乘聯(lián)會(huì)現(xiàn)公布了 2021 年 12 月及全年銷量排名快報(bào)。從全年數(shù)據(jù)來看,比亞迪汽車...
在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時(shí),組件的穿隧氧化層會(huì)承受的龐大電壓,使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權(quán)衡。這意味著即使ST...
Everspin并行接口4Mb MRAM是汽車應(yīng)用的理想選擇
MRAM速度快且非易失性。實(shí)時(shí)監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實(shí)時(shí)寫入,無需負(fù)載均衡或ECC開銷。AEC-Q1001級(jí)合格MRAM將在發(fā)動(dòng)機(jī)罩下應(yīng)用的擴(kuò)展溫度(-4...
血液透析機(jī)專用非易失性Everspin MRAM芯片
血液透析是為人工腎、洗腎,是血液凈化技術(shù)的一種。其利用半透膜原理,通過擴(kuò)散、對(duì)人體內(nèi)各種有害以及多余的代謝廢物和過多的電解質(zhì)移出體外,達(dá)到凈化血液的目的...
2021-11-11 標(biāo)簽:RAM醫(yī)用設(shè)備MRAM 611 0
串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC的詳細(xì)介紹
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長(zhǎng)寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外...
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用...
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