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mram

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

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mram資訊

STT-MRAM非易失存儲器特點及應(yīng)用

STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時間長的存儲。...

2022-11-29 標簽:存儲器MRAM非易失性存儲器 1902 0

蓄勢待發(fā)的MRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)磁性隨機存儲器(MRAM)已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史,最早可以追溯到1984年,Arthur Pohm和 Jim Daught...

2022-11-29 標簽:MRAM 3278 0

存儲器迎來怎樣的2023?

存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...

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MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...

2022-11-21 標簽:存儲器sramMRAM 916 0

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在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm,28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的...

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具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...

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MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當兩個磁鐵靠近時,它們的電阻會發(fā)生變化,這取決于它...

2022-07-25 標簽:物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1297 0

MRAM(磁性隨機存儲器)是否可替代取代電子存儲器

一些自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM(磁性隨機存儲器)已經(jīng)商業(yè)化,在某些情況下可以取代電子存儲器,但它是基于鐵磁開關(guān)的。

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可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

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MRAM在存算一體上展現(xiàn)出的優(yōu)勢

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2022-04-18 標簽:MRAM非易失性存儲器 1176 0

Everspin串口MRAM存儲芯片—MR25H40CDF

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MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...

2022-01-26 標簽:MRAM非易失性存儲器everspin 623 0

2021國內(nèi)新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%;三星宣布發(fā)布全球首個MRAM存內(nèi)計算設(shè)計……

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2021-12-11 標簽:存儲器MRAM 1357 0

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2021-08-17 標簽:存儲器封裝MRAM 2646 0

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    受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視,未來3年,中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30%!其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴大到2011的280億元!
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