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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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Everspin MRAM是面向數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要的市場和應(yīng)用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...
MR10Q010是理想的存儲器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad S...
MRAM是一種非易失性存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RAM的設(shè)備可以為“...
“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能、字節(jié)可尋址、非易失性存儲器設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度相結(jié)合,同時具有非易失性和節(jié)能性...
Everspin Technologies,Inc是設(shè)計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
醫(yī)療刺激裝置如何通過外部存儲器來實現(xiàn)高性能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來越強(qiáng)大,越來越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時保證了用戶健康信息的安全性,價格...
Everspin MRAM加強(qiáng)了RIM智能電表的即時非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲優(yōu)勢。 Everspin的4Mbit MR2...
256Mb ST-DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM的詳細(xì)介紹
Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具...
Everspin MRAM非易失性存儲器在太空探索中的應(yīng)用
Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用,如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統(tǒng)中使...
與富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢
Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用程序的翹楚,在這些市場和應(yīng)用程序中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin是MRAM...
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
非易失性存儲器在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該...
Everspin MRAM非易失性存儲器的五大優(yōu)勢介紹
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性...
對于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說,自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉(zhuǎn)危機(jī)的革新技術(shù)。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發(fā)展和大容量方面并沒...
關(guān)于?Everspin MRAM常見問題的詳細(xì)解答
Everspin Technologies,Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性...
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存,內(nèi)存類型包括哪些
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲器是用于計算的半導(dǎo)體存儲器塊。半導(dǎo)體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲器單元。內(nèi)存類型包括: 易失...
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