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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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對于存儲器而言,重要的技術(shù)指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
FRAM存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相互兼容
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
MRAM是一種全新的技術(shù),它將有望改變PC的應(yīng)用方式
內(nèi)存技術(shù)在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少,但并沒有實質(zhì)性的改變。因為這些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM的,一旦沒有持續(xù)的電力,所存儲的數(shù)據(jù)...
MRAM擁有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,它的優(yōu)異性能是什么
非易失性是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成...
Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗方面的挑戰(zhàn)
泛林集團首席技術(shù)官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering (SE)的專訪。
2020-10-12 標簽:存儲技術(shù)機器學(xué)習(xí)EUV 826 0
為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案
嵌入式內(nèi)存測試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的,包括最大程度地擴大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲器...
一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù),它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲技術(shù)(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因為它將提供一種新...
盡管具有規(guī)模經(jīng)濟性,但其他類型的存儲器仍具有AI應(yīng)用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲數(shù)據(jù)的每一位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)位所需的...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個419...
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性,適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取...
2020-09-19 標簽:數(shù)據(jù)寫入讀出MRAM讀取 4550 0
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
MRAM具有一些獨特的功能 可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
MR25H256是一個串行MRAM,具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇(CS),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)的四針接口在邏輯上...
淺談非易失性MRAM在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用分析
Everspin是設(shè)計制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在...
MRAM比較適用于具有簡歷播放功能的娛樂應(yīng)用程序
磁阻RAM(MRAM)是一種非易失性存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM...
MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較
新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與...
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