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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元!
來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 位于加利福尼亞州弗里蒙特的MRAM初創(chuàng)公司Spin Memory表示,它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種晶體管,可以大大縮小MRAM和電阻性RAM的...
Everspin MRAM可減少系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間,并降低總成本
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相...
MRAM實(shí)現(xiàn)了SPIEEPROM和SPIFlash組件通用的命令子集
Everspin是設(shè)計(jì),制造和商業(yè)銷(xiāo)售分立磁阻RAM(MRAM)到市場(chǎng)和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要...
淺談非易失性存儲(chǔ)器MRAM,它的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些
Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Eversp...
STT結(jié)構(gòu)渦輪增壓MRAM的分析,它的潛力究竟有多大
新興MRAM市場(chǎng)的主要參與者之一已經(jīng)開(kāi)發(fā)了專(zhuān)有技術(shù),該技術(shù)表示將通過(guò)增加保持力并同時(shí)降低電流來(lái)增強(qiáng)任何MRAM陣列的性能。 自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)(STT)的進(jìn)動(dòng)...
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力,能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存...
如何最大限度的提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量
Everspin公司在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)...
什么是STT-MRAM,關(guān)于STT-MRAM的作用以及應(yīng)用
隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器,新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過(guò)將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRA...
MRAM將可能會(huì)面臨大規(guī)模的應(yīng)用,未來(lái)市場(chǎng)的分析
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
高密度MRAM未來(lái)將會(huì)取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備
高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對(duì)于Everspin而言...
MRAM等新興的非易失存儲(chǔ)器將成為實(shí)現(xiàn)內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一
第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁場(chǎng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方式,其特點(diǎn)是容易設(shè)計(jì)制造,缺點(diǎn)在于尺寸大,難以微縮。
詳細(xì)介紹Everspin AEC認(rèn)證的汽車(chē)應(yīng)用MRAM
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性...
目前MRAM市場(chǎng)以及專(zhuān)用MRAM設(shè)備測(cè)試重要性的分析
Everspin專(zhuān)注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲(chǔ),能源,工業(yè),汽車(chē)和...
如何用非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)云存儲(chǔ)解決方案
在2019全球閃存峰會(huì)上,Everspin作為MRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商分享如何用MRAM這類(lèi)非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。 首...
關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器MRAM兩大優(yōu)點(diǎn)的介紹
新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破,正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上,眼前我們正處于見(jiàn)證存儲(chǔ)器歷史的轉(zhuǎn)折...
淺談非易失性MRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)
切換(或場(chǎng)驅(qū)動(dòng))MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的...
2020-06-23 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1268 0
醫(yī)療設(shè)備專(zhuān)用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM的應(yīng)用
Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫(yī)療設(shè)備中的非易失存儲(chǔ)器,例如在醫(yī)用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可...
2020-06-02 標(biāo)簽:醫(yī)療設(shè)備MRAM 1339 0
一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡(jiǎn)單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn),無(wú)需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
2020-05-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 1094 0
?醫(yī)用呼吸機(jī)Everspin MRAM應(yīng)用筆記
由于當(dāng)前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機(jī)的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨(dú)特的MRAM存儲(chǔ)技術(shù),它將為這類(lèi)設(shè)備的電子系統(tǒng)...
2020-05-28 標(biāo)簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 1100 0
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