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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
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太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級(jí)Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲(chǔ)器市場(chǎng)的翹楚,并基于Everspi...
2020-05-14 標(biāo)簽:航天應(yīng)用MRAM太空技術(shù) 1064 0
新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspi...
Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲(chǔ)器
Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時(shí)開啟、非揮發(fā)性、和無(wú)限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選...
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...
2020-04-08 標(biāo)簽:MRAM 1104 0
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與S...
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,在包括40nm,28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙...
eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù),同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn),下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面. (1)底部電極的形成(參考圖1):...
2020-04-07 標(biāo)簽:MRAM 1928 0
ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協(xié)議擴(kuò)展到12nm工藝
MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲(chǔ)器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點(diǎn),可以在單個(gè)芯片中替代當(dāng)今使用的所有類...
在不久的將來(lái),我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運(yùn)算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。...
2020-03-25 標(biāo)簽:MRAM 669 0
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來(lái),通過(guò)不斷改進(jìn),對(duì)其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗(yàn)傳授給Glo...
格芯表示要做MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 以推動(dòng)潛在的新計(jì)算架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)展
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺(tái)積電,雙方的合作關(guān)系這兩年非常密切。與之相比,AMD的前女友GF公司現(xiàn)在與X86 CPU代工漸行...
Globalfoundries提供eMRAM 計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個(gè)客戶合作,計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
臺(tái)工研院MRAM技術(shù),比臺(tái)積電和三星更穩(wěn)定
臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等6篇技術(shù)論文。其中,從研究成...
電子存儲(chǔ)器迎來(lái)革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢(shì)是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤和內(nèi)存的漲勢(shì)卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢(shì),取得了相當(dāng)不錯(cuò)的成績(jī)。
隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn),嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。
28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
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