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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲,這已經(jīng)導致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說,半導體業(yè)這波庫存調(diào)整周期從去年中開始,現(xiàn)在可能已經(jīng)進入尾聲,晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行,時間點在明年初...
東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場領(lǐng)導地位
據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nan...
三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一,在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...
據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業(yè)界的另一個支柱——3.3...
兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權(quán)
根據(jù)專利摘要,本發(fā)明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本,測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成,每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不...
2023-10-13 標簽:NAND數(shù)據(jù)閃存芯片 966 0
這一逆轉(zhuǎn)是因為,在內(nèi)存芯片價格跌至谷底并沒有像一些人預測的那樣快回升后,傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。
三星內(nèi)部認為當前NAND Flash供應價格過低,計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格,漲幅預計在10%以上。
10月9日,韓國半導體業(yè)傳來好消息,美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導體設備,而且無需其它許可;美方的這一決定即日起生效。 三...
自2022年下半年以來,高通貨膨脹和世界經(jīng)濟前景惡化不斷打擊半導體需求,使半導體產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。今年第一季度,三星電子的dram半導體銷售額...
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬...
根據(jù)知情人士的透露,美國計劃無限期延長三星和 SK 海力士豁免權(quán),允許芯片設備引進中國。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注,因為它將對全球半導體行業(yè)產(chǎn)生深遠影...
CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測試-是時候?qū)F卡換為SD NAND了
前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAWNAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SDNAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢...
據(jù)財務報告,旺宏2023年第二季度收入74.3億臺幣(單位以下同一),營業(yè)成本53.26億元,總利率28.3%,研究開發(fā)費用14.57億元,凈利潤710...
據(jù)媒體報道,近期已有下游廠商接到存儲原廠通知,第四季度將調(diào)漲合約價格,其中NAND閃存第四季度合約價可能漲一至二成,DRAM合約價漲幅約一成。
SD NAND關(guān)于3.3V和1.8V之間的轉(zhuǎn)換
SD NAND默認是3.3V的,有些MCU只支持1.8V,為了適配1.8V,SD NAND需要內(nèi)部用命令把3.3V轉(zhuǎn)換成1.8V,下圖是SD協(xié)議規(guī)范
2023-09-21 標簽:電子產(chǎn)品NANDSD 4112 0
美光向NPE機構(gòu)轉(zhuǎn)讓半導體專利,引發(fā)投機性訴訟擔憂
美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲器等半導體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lode...
2023-09-21 標簽:NAND存儲器半導體技術(shù) 1490 0
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