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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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汽車行業(yè)主要發(fā)展趨勢(shì)及其對(duì)內(nèi)存與存儲(chǔ)的影響

汽車是半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域之一。據(jù)預(yù)測(cè)，汽車領(lǐng)域內(nèi)存（DRAM）與存儲(chǔ)（NAND/ NOR）市場(chǎng)總值將從 2021 年的 40 億美元增長(zhǎng)到 202...

2023-05-17 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 991 0

MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)：以零電路和低功耗同時(shí)執(zhí)行傳感和計(jì)算任務(wù)

提出了一種集成傳感和計(jì)算功能的MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以同時(shí)執(zhí)行加速度傳感和分類任務(wù)，這種一體化結(jié)構(gòu)以零電路和低功耗運(yùn)行。

2023-05-15 標(biāo)簽：NAND mems 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 626 0

為什么芯片大廠都將接口IP作為打造安全SoC著力點(diǎn)呢？

當(dāng)前，我們正處于一個(gè)數(shù)據(jù)大爆炸的時(shí)代。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量自2022至2026五年時(shí)間里將增長(zhǎng)一倍以上，僅中國(guó)的數(shù)據(jù)量就將達(dá)到56.16ZB，年復(fù)...

2023-05-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 協(xié)處理器 1446 0

8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī)，比如最近發(fā)布...

2023-05-08 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 2551 0

先進(jìn)封裝推動(dòng)NAND和DRAM技術(shù)進(jìn)步

據(jù)知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole分析，先進(jìn)封裝極大地推動(dòng)了內(nèi)存封裝行業(yè)，推動(dòng)了增長(zhǎng)和創(chuàng)新。

2023-04-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1394 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 3d nand 1955 0

Intel和SK Hynix提出閃存未來的兩項(xiàng)重要進(jìn)展

TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。

2023-03-14 標(biāo)簽：閃存 NAND intel 590 0

美國(guó)或再度升級(jí)對(duì)華芯片制造設(shè)備出口限制

報(bào)道顯示，拜d政府?dāng)M將17類（臺(tái)）超百萬美元的設(shè)備制裁，擴(kuò)大到34類（擴(kuò)大一倍）。這一限制是在2022年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制基礎(chǔ)上的進(jìn)一步升級(jí)...

2023-03-13 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1250 0

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展以及重要性

存儲(chǔ)芯片除了滿足基本的存儲(chǔ)功能，未來，帶有各種處理器內(nèi)核的SoC以及集成更多處理能力的FPGA產(chǎn)品將成為市場(chǎng)新需求。

2023-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)芯片 1391 0

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī)，同年11月開始投入量產(chǎn)。

2023-02-28 標(biāo)簽：DRAM NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2163 0

西部數(shù)據(jù)深耕工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景，以多樣化解決方案賦能制造行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型

51CTO 當(dāng)前，數(shù)字經(jīng)濟(jì)已經(jīng)成為推動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的新引擎，加速企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程，推進(jìn)業(yè)務(wù)的創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，已經(jīng)成為企業(yè)的第一要?jiǎng)?wù)。作為制造大國(guó)，...

2023-02-27 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)智能化 665 0

助力數(shù)字化/自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)騰飛西部數(shù)據(jù)亮相CAIMRS 2023年會(huì)

隨著工業(yè)4.0時(shí)代的全面到來，信息化和智能化對(duì)于工業(yè)系統(tǒng)的提升將會(huì)起到?jīng)Q定性的作用。2月24日，全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)解決方案的提供商西部數(shù)據(jù)公司參加了由中國(guó)...

2023-02-25 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 916 0

2023年第二季度個(gè)人電腦市場(chǎng)將恢復(fù)正常庫(kù)存水平

。個(gè)人電腦供應(yīng)鏈的不同階層面臨的挑戰(zhàn)也不同，因此，其復(fù)蘇時(shí)間也各不相同。

2023-02-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 顯示屏 921 0

存儲(chǔ)芯片周期性衰退可能有點(diǎn)長(zhǎng)

基于2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)持續(xù)萎靡，各大存儲(chǔ)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)或激烈化，甚至出現(xiàn)行業(yè)整合的現(xiàn)象。

2023-02-13 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 867 0

西部數(shù)據(jù)首次宣布減產(chǎn) NAND閃存晶圓產(chǎn)量將減少30%

據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場(chǎng)占有12.6%的份額，僅次于三星電子、鎧俠和SK Group...

2023-02-09 標(biāo)簽：NAND SK海力士西部數(shù)據(jù) 497 0

淺談受存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌影響的主要幾個(gè)方面

存儲(chǔ)芯片因供需失衡，今年以來價(jià)格延續(xù)下跌趨勢(shì)且久未見底。而近日三星、海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)大幅下滑，使得不同調(diào)研機(jī)構(gòu)對(duì)行業(yè)給予悲觀預(yù)期。

2023-02-08 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1624 0

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正在出現(xiàn)歷史低迷期

以繁榮與蕭條周期而聞名的存儲(chǔ)芯片行業(yè)已經(jīng)改變了方式。更嚴(yán)格的管理和產(chǎn)品的新市場(chǎng)，包括 5G 技術(shù)和云服務(wù)相結(jié)合，將確保公司實(shí)現(xiàn)更可預(yù)測(cè)的收益。

2023-02-02 標(biāo)簽：NAND 三星電子海力士 467 0

存儲(chǔ)芯片行業(yè)至暗時(shí)刻：千載難逢的投資機(jī)遇

這場(chǎng)前所未有的危機(jī)不僅使得業(yè)界領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士和美光科技(MU.US)的現(xiàn)金流失殆盡，還動(dòng)搖了其供應(yīng)商的穩(wěn)定性，打擊了依賴科技出口的亞洲經(jīng)濟(jì)體，并迫使...

2023-02-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片供應(yīng)鏈 1577 0

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價(jià)的消息，現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄，看來大伙的...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 3469 0

SK海力士2022年Q4虧損創(chuàng)紀(jì)錄，毛利率僅3%，2023財(cái)年將減少50%資本支出

2月1日SK海力士發(fā)布2022年第四季度財(cái)報(bào)。公司該季營(yíng)收為7.699萬億韓元，環(huán)比下降30%，同比減少38%。毛利2300億韓元，環(huán)比下降94%，同比...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 3735 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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手機(jī)內(nèi)存

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存儲(chǔ)行業(yè)

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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