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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線圖解析

這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計(jì)，截至 9 月底的三個(gè)月營業(yè)利潤為 108 億韓元（77 億美元），同比下降 32%。

2022-10-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星 1837 0

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時(shí)，他們只談?wù)揘AND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么...

2022-10-25 標(biāo)簽：控制器 NAND usb 1904 0

工業(yè)4.0：您需要的存儲類型

　　工業(yè)4.0旨在為生產(chǎn)系統(tǒng)的構(gòu)成帶來巨大的變化，但最重要的是改變它們創(chuàng)造價(jià)值的方式以及它們與周圍世界的互動方式。工業(yè)4.0建立在工業(yè)3.0期間實(shí)現(xiàn)的技...

2022-10-24 標(biāo)簽：人機(jī)交互 NAND 工業(yè)4.0 902 0

磨損均衡及其對SSD預(yù)期壽命的影響

　　閃存中的數(shù)據(jù)按單元格、頁面和塊的層次結(jié)構(gòu)排列，數(shù)據(jù)一次寫入一頁。NAND閃存架構(gòu)使得擦除只能在塊級別發(fā)生。此外，對固態(tài)硬盤（SSD）中數(shù)據(jù)的訪問...

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND SSD 2757 0

存儲卡作為物聯(lián)網(wǎng)中的安全產(chǎn)品

　　3D-NAND閃存技術(shù)，其中閃存單元垂直分層，正在成為用于強(qiáng)大和安全工業(yè)用途的存儲卡的最佳解決方案。雖然2D-SLC-NAND（SLC是最快，最可靠...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 924 0

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲問題

隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各...

2022-10-24 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 713 0

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一...

2022-10-24 標(biāo)簽：閃存 NAND 1899 0

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯方案

由于3D結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，可能會發(fā)生多種錯誤。特別是在高容量系統(tǒng)中，這些問題需要NAND閃存控制器和先進(jìn)的糾錯算法。

2022-10-24 標(biāo)簽：顯示器控制器 NAND 911 0

不斷增長的存儲需求推動更多的NAND進(jìn)入汽車設(shè)計(jì)

隨著汽車電氣化繼續(xù)快速發(fā)展，汽車子系統(tǒng)對閃存存儲的需求也在增加。其中許多子系統(tǒng)現(xiàn)在需要與現(xiàn)代智能手機(jī)和個(gè)人電腦一樣多的內(nèi)存和存儲，并且當(dāng)累積起來時(shí)，可能...

2022-10-24 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND OTA 792 0

存儲卡標(biāo)準(zhǔn)向高速PCI高速遷移

這些帶有PCI Express接口的標(biāo)準(zhǔn)為這兩種存儲卡標(biāo)準(zhǔn)在未來的數(shù)字大容量存儲世界中賦予了新的生命和機(jī)遇。

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND 接口 964 0

固態(tài)硬盤斷電保護(hù)功能介紹

斷電保護(hù) （PLP）是一種機(jī)制，用于確保在發(fā)生突然斷電時(shí) SSD 寫入數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)不會丟失。PLP需要控制器固件的技術(shù)支持，并在PCBA上添加電容器以提...

2022-10-24 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 4903 0

用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備比較

許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲器來存儲引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)以及系統(tǒng)斷電時(shí)持續(xù)存在的其他數(shù)據(jù)。如今，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中都扮演著這一角色。鑒于需要閃存的...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式 NAND CAN總線 1065 0

逐步邁向工業(yè)存儲解決方案

　　三級單元（TLC）、多級單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開發(fā)人員需要了解存儲的基本機(jī)制和存儲級別的效果...

2022-10-24 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 713 0

為什么可靠的NAND閃存對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要

　　在未來幾年，數(shù)百億臺工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備將被連接起來，并產(chǎn)生從傳感器和應(yīng)用程序收集的大量數(shù)據(jù)。這些IIoT數(shù)據(jù)中的很大一部分最終將在邊緣存儲，...

2022-10-24 標(biāo)簽：傳感器 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 681 0

在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)提出正確的問題

　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤（SSD）非常復(fù)雜。性價(jià)比比較沒有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動的績效定義取決于許多因素。

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND SSD 電池 649 0

工業(yè)級閃存對嵌入式設(shè)計(jì)非常重要

　　如果您緊跟當(dāng)今閃存設(shè)備的趨勢，您將不可避免地看到存儲容量在不斷降低價(jià)格點(diǎn)方面的驚人進(jìn)步。但是，當(dāng)您看到這些進(jìn)步背后的原因時(shí)，您會注意到更高的容量和更...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 423 0

邊緣計(jì)算應(yīng)用中的SSD如何保持高數(shù)據(jù)安全性和完整性

人工智能（AI）是一種數(shù)據(jù)密集型計(jì)算密集型技術(shù)。在嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中，它需要通常托管在微處理器或FPGA中的推理引擎來檢測一組數(shù)據(jù)中的模式。連接性和硬...

2022-10-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND SSD 1257 0

如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光燈

　　每個(gè)倉庫都存儲著不同的東西。它們存儲的調(diào)色板包含所有形狀和大小的單元，具有不同的存儲要求。例如，它們可能需要在特定溫度下儲存。或者，由于使用模式高，...

2022-10-20 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 889 0

通過正確的組件選擇擴(kuò)展AIoT項(xiàng)目

　　AIoT是過去幾年中主導(dǎo)該領(lǐng)域的兩種技術(shù)（AI和物聯(lián)網(wǎng)）的共同努力。物聯(lián)網(wǎng)充當(dāng)中樞神經(jīng)系統(tǒng)，通過一系列連接的設(shè)備及其傳感器收集大量數(shù)據(jù)。人工智能充當(dāng)...

2022-10-14 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)AI 443 0

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲問題

　　隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口...

2022-10-14 標(biāo)簽：芯片 NAND SSD 881 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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