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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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NAND閃存顆粒的組成

手機(jī)越用越慢，排除各類軟件后臺(tái)等因素，手機(jī)存儲(chǔ)也會(huì)影響手機(jī)運(yùn)行速度，特別是在可用空間較少的時(shí)候。

2021-01-29 標(biāo)簽：閃存 NAND NAND閃存 9642 0

存儲(chǔ)廠旺宏：第1季度可望淡季不淡，ROM、NOR、NAND全線樂觀

存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Fla...

2021-01-29 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)ROM 1986 0

基于3D NAND的閃存存儲(chǔ)技術(shù)為視頻監(jiān)控領(lǐng)域帶來(lái)哪些好處

由于人們對(duì)周遭環(huán)境（住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境）的視覺感知需求不斷增長(zhǎng)，全球范圍的視頻監(jiān)控市場(chǎng)都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署...

2021-01-28 標(biāo)簽：nand 圖像傳感器視頻監(jiān)控 892 0

三星在半導(dǎo)體打下的江山會(huì)被撼動(dòng)?

去年十月，三星前任會(huì)長(zhǎng)李健熙的去世在一定程度上影響了三星。不久前，三星電子副會(huì)長(zhǎng)、三星集團(tuán)實(shí)際掌門人李在镕因行賄而獲刑，當(dāng)庭被捕，再次影響了三星的股價(jià)。...

2021-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 2141 0

三星是全球最大的NAND閃存品牌，市場(chǎng)份額為33.1%

三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Kioxia在2020年第三季度的市場(chǎng)份額為21.4%。Western Digital的市場(chǎng)份額為14.3%，SK Hynix的市場(chǎng)份...

2021-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 2823 0

全球閃存芯片競(jìng)爭(zhēng)格局分析

時(shí)至今日，在全球手機(jī)芯片市場(chǎng)，華為、聯(lián)發(fā)科兩家中國(guó)企業(yè)順利搶下近半數(shù)份額，擁有了一定的話語(yǔ)權(quán)。

2021-01-18 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2263 0

產(chǎn)業(yè)鏈消息人士：三星電子最快一季末下調(diào)NAND閃存價(jià)格

? 【臺(tái)積電5nm工藝去年四季度營(yíng)收超過25億美元全年?duì)I收達(dá)到預(yù)期】1月14日下午臺(tái)積電發(fā)布2020年第四季度財(cái)報(bào)顯示，他們?cè)谶@一季度營(yíng)收126.76...

2021-01-18 標(biāo)簽：高通 NAND 三星電子 1585 0

英特爾7納米制程技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展詳細(xì)說(shuō)明

英特爾方面表示，“經(jīng)過慎重考慮，董事會(huì)得出結(jié)論，現(xiàn)在是進(jìn)行領(lǐng)導(dǎo)層變革的恰當(dāng)時(shí)機(jī)，在英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，利用Pat的技術(shù)和工程專長(zhǎng)。董事會(huì)相信，Pat和...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾 NAND 5G 5284 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND...

2021-01-17 標(biāo)簽：控制器 NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3189 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破閃存芯片技術(shù)壁壘

NAND Flash是全球最重要的存儲(chǔ)芯片之一，中國(guó)需求量最高。2019年，中國(guó)地區(qū)NAND閃存市場(chǎng)銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場(chǎng)卻...

2021-01-16 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 4489 0

計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍：長(zhǎng)江存儲(chǔ)辟謠

日經(jīng)亞洲評(píng)論日前報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。對(duì)此消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布公告指出，近日發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體...

2021-01-14 標(biāo)簽：NAND 3D 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2055 0

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

2021-01-13 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 5505 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)?021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬(wàn)片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片控制器 NAND 5586 0

2021年半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)走向展望

由于疫情的蔓延、全球經(jīng)濟(jì)景氣周期、疊加大國(guó)之間的關(guān)系降到冰點(diǎn)等因素，過去的魔幻2020年不管是對(duì)于個(gè)人或是企業(yè)來(lái)說(shuō)都是動(dòng)蕩不安的，放眼電子信息技術(shù)的角度...

2021-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件 NAND 8162 0

車用芯片短缺導(dǎo)致豐田等主流汽車制造商減產(chǎn) 美光看好汽車業(yè)務(wù)的需求增長(zhǎng)

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球范圍內(nèi)車用芯片短缺，正在迫使大型汽車制造商復(fù)蘇步伐受阻，只能停止或減緩汽車生產(chǎn)。繼本田(Honda)傳出減產(chǎn)消息，豐田汽車(Toyo...

2021-01-11 標(biāo)簽：芯片 NAND 豐田 5388 0

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季...

2021-01-11 標(biāo)簽：閃存控制器 nand 4093 0

MCU成為兆易創(chuàng)新的新增長(zhǎng)點(diǎn)

近期大眾造車缺“芯”的新聞沸沸揚(yáng)揚(yáng)，雖然大眾公司為了穩(wěn)定情緒不斷辟謠，但整個(gè)芯片行業(yè)及各類電子元器件偏于緊俏已經(jīng)成為了不爭(zhēng)的事實(shí)。需求高企外加國(guó)產(chǎn)替代化...

2021-02-15 標(biāo)簽：芯片 mcu NAND 4354 0

整體NAND Flash市場(chǎng)仍處于供過于求的狀態(tài)

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成9日表示，客戶需求樂觀，已與季節(jié)性變化脫鉤，但代工廠產(chǎn)能持續(xù)吃緊，情況可能延續(xù)至5月，因應(yīng)成本墊高、供給吃緊，已對(duì)客戶調(diào)漲NAND Fl...

2021-01-10 標(biāo)簽：芯片 pcb NAND 1982 0

19nm SLC閃存還沒迎來(lái)落幕

由于成本上的優(yōu)勢(shì)，目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。

2021-01-08 標(biāo)簽：閃存 NAND SLC 2315 0

NandFlash基礎(chǔ)知識(shí)和幾類NAND壞塊管理方法

概述 Flash名稱的由來(lái)，F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位，F(xiàn)lash...

2021-01-07 標(biāo)簽：NAND FlaSh Uboot 8313 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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