DRAM與NAND閃存等未來五年最看俏

內(nèi)存市場日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報告預(yù)測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長率（CAGR）可達(dá) 7.3%，...

2017-01-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 734 0

IC Insights:智能機(jī)帶動存儲器未來五年最看俏

IC Insights最新報告預(yù)測，DRAM與NAND快閃存儲器等，未來五年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,...

2017-01-10 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 718 0

2017年存儲器市場規(guī)模將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元

IC Insights預(yù)計2017年存儲器價格還將上漲，從而推動全球存儲器市場規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長10%。該機(jī)構(gòu)同時認(rèn)為，今后幾年存儲...

2016-12-24 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 2244 0

2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價格走揚(yáng)

017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。

2016-12-23 標(biāo)簽：NANDNAND Flash3D-NAND 809 0

存儲器產(chǎn)業(yè)逐漸形成三股力量

福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動工，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片，估計2017年年底完成技術(shù)...

2016-12-06 標(biāo)簽：NAND存儲器紫光集團(tuán) 685 0

存儲器芯片價格上揚(yáng) 中國強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片

存儲器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件，主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動地完成程...

2016-11-11 標(biāo)簽：芯片nand存儲器 1072 0

存儲器芯片拉動IC市場增長 微露曙光

IBS塬本預(yù)測今年芯片產(chǎn)業(yè)將衰煺1.5%，現(xiàn)在認(rèn)為2016年芯片產(chǎn)業(yè)成長率為0.2%。又有一家市場研究機(jī)構(gòu)調(diào)升了對2016與2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率的...

2016-11-10 標(biāo)簽：dramnand存儲器芯片 741 0

2015年主要原廠NAND Flash的市場份額

在IC設(shè)計、制造、封裝、測試多個領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時候，中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。

2016-11-03 標(biāo)簽：NAND存儲技術(shù)武漢新芯 2582 0

手機(jī)熱銷帶旺NAND價格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對

日經(jīng)新聞2016年10月29日報導(dǎo)，使用于智能手機(jī)、存儲卡的NAND型快閃存儲器（Flash Memory）批發(fā)價格進(jìn)一步走升，10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC...

2016-11-01 標(biāo)簽：東芝NAND三星電子 668 0

NAND價格兩年來首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開追不上需求

報導(dǎo)指出，三星電子停產(chǎn)停售 Note 7，讓借此加強(qiáng)攻勢、擴(kuò)大市占率的中國智能手機(jī)廠需求急增，而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應(yīng)、但仍追不上需求增加速度。日本三...

2016-10-31 標(biāo)簽：nandnote7 775 0

DRAM表現(xiàn)強(qiáng)勁 2016年IC市場營收將增長1%

市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測，由原先的-2%提升為1%；此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2016年全球IC出...

2016-10-25 標(biāo)簽：DRAMNAND快閃存儲器 1089 0

美光3D XPoint固態(tài)硬盤首次現(xiàn)身 Facebook對商用興趣濃厚

近日，在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲）技術(shù)...

2016-08-12 標(biāo)簽：NAND美光Facebook 1361 0

為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。

2016-08-02 標(biāo)簽：NAND三星電子 1310 0

三星電廠爆炸，對存儲芯片供應(yīng)有何影響？

一般半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)備都配有UPS（Uninterruptible Power Supply），即不間斷電源。供電的閃斷對機(jī)器影響不大，最多也只會造成部...

2016-06-19 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲芯片 1208 0

NAND Flash綜合價格指數(shù)將再次上漲6%

市場主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價格維持平穩(wěn)走勢，240GB/480GB TLC SSD價格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 875 0

武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

根據(jù)科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠。

2016-03-22 標(biāo)簽：NAND半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3620 0

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲器事業(yè)部

被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Me...

2015-12-22 標(biāo)簽：東芝NAND存儲器 817 0

東芝傳分拆 NAND Flash 事業(yè)，以便上市籌資、代工強(qiáng)化收益

被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND 型快閃記憶體（Flash M...

2015-12-19 標(biāo)簽：東芝NAND 577 0

英特爾大連廠攻NAND 市場恐供過于求

全球半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布，旗下位于大陸大連的12寸晶圓廠將由原本生產(chǎn)電腦晶片組，轉(zhuǎn)為制造儲存型快閃記憶體（NAND Flash），總投資金額達(dá)55億美元...

2015-10-22 標(biāo)簽：英特爾NAND 696 0