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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道,由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加,東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
TDK開發(fā)出eSSD系列 NAND型閃存和閃存控制器一體化
TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列,并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制...
日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”:半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
2011年,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際,IHS iSuppli的分析師針對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...
行業(yè)觀察:NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是...
蘋果iPad消耗全球八成閃存:NAND密度遠(yuǎn)超對手
市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli估計(jì),在全球平板電腦應(yīng)用的NAND閃存市場貢獻(xiàn)近八成的蘋果,將在2015年以前繼續(xù)穩(wěn)坐平板電腦NAND采購大戶寶座。
北京時間2月29日凌晨消息,英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作,提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議,美光將為英特爾供貨NA...
2011年全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元
據(jù)媒體報道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度...
英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號,MLC就是多層單元封裝,HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endu...
NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)
基于NAND Flash的存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)首先要解決壞塊問題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機(jī)產(chǎn)生壞塊,因此為了提高設(shè)備的可...
SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)
在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米...
英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存
目前,限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量,而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及,積極地研制新制程技術(shù),以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然,英...
2011-01-02 標(biāo)簽:NAND 1070 0
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì) 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
高性能20納米級NAND閃存存儲器 SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解...
Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn) Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失...
09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐 市場研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND快閃記憶體供應(yīng)商排行榜,三星電子(...
2010-04-06 標(biāo)簽:NAND 1861 0
IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,...
Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品 南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,...
技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求:Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求:Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽 在最近舉辦的一次會議上,Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone...
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