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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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震撼存儲產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD 去年8月份,Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤,從50nm進化至34...
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2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化 NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月...
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一種在片上系統(tǒng)中實現(xiàn)Nand Flash控制器的方法 摘要:Nand Flash以其優(yōu)越的特性和更高的性價比,在...
2010-01-12 標(biāo)簽:Nand片上系統(tǒng) 1077 0
東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市 日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重,其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司,目前東...
韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為
韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。
Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制 在本月22日召開的一次電話會議上,鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAN...
NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350...
手機內(nèi)存:NAND優(yōu)勢明顯,NOR風(fēng)光不再
手機內(nèi)存:NAND優(yōu)勢明顯,NOR風(fēng)光不再 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是...
NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用 0 引言 計算機技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來...
From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),...
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