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      標(biāo)簽　>　NEMS

      NEMS

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      nems技術(shù)

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      2023-09-29 標(biāo)簽：adiMEMSNEMS 1429 0

      進(jìn)行MEMS制造的沉積方法

      進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過(guò)程是基本一致的，膜沉積的測(cè)量范圍從幾納米到一微米。

      2022-10-11 標(biāo)簽：memsNEMSPVD 2100 0

      MEMS與IC集成工藝介紹 NEMS器件在IC 中的應(yīng)用

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      現(xiàn)在微機(jī)電系統(tǒng)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了“機(jī)”和“電”的概念, 將處理熱、光、磁、化學(xué)、生物等結(jié)構(gòu)和器件通過(guò)微電子工藝及其他一些微加工工藝制造在芯片上, 并通過(guò)與...

      2018-05-03 標(biāo)簽：cmosnems微機(jī)電系統(tǒng) 1.0萬(wàn) 0

      MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)基于模板的廣度相位解包裹方法

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      在對(duì)微/納機(jī)電系統(tǒng)(micro/nano electro me-chanical system，MEMS/NEMS)結(jié)構(gòu)的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)量和MEMS/N...

      2018-05-03 標(biāo)簽：memsnems 1133 0

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      據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，NANUSENS的NEMS傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝和掩膜技術(shù)制造而成。在NANUSENS的工藝中，使用HF蒸汽（vHF）通過(guò)鈍化層...

      2017-10-19 標(biāo)簽：memsNEMS 7453 0

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      中國(guó)大陸關(guān)于MEMS和NEMS的發(fā)展情況

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      2018-04-09 標(biāo)簽：MEMSNEMS 1.5萬(wàn) 0

      中國(guó)科學(xué)院院士在納米機(jī)電系統(tǒng)研究中取得系列進(jìn)展

      記者近日從中國(guó)科技大學(xué)獲悉，中國(guó)科學(xué)院院士郭光燦領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在基于碳納米管的納米機(jī)電系統(tǒng)（NEMS）方面取得系列重要進(jìn)展。該實(shí)驗(yàn)室固態(tài)...

      2017-01-16 標(biāo)簽：NEMS碳納米管 874 0

      NEMS或?qū)⒁l(fā)半導(dǎo)體組件微型化的下一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)

      NEMS或?qū)⒁l(fā)半導(dǎo)體組件微型化的下一個(gè)戰(zhàn)爭(zhēng) 據(jù)新興芯片技術(shù)領(lǐng)域的專家表示，納米機(jī)電系統(tǒng)(nanoelectromechanical systems，...

      2009-12-15 標(biāo)簽：傳感器NEMS 1334 0

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      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
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