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標簽 > nexperia
Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護器件
全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用TrEOS技術(shù)的高性能4通道ESD保護器件。極低的每通道線路電容(低至0.25 pF)和低于0.05 pF...
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
不斷增加的汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0以及基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境,都將推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
2021-02-19 標簽:GaN功率半導(dǎo)體Nexperia 889 0
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
2021-02-11 標簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 2830 0
索尼Xperia與穿越火線合作 Xperia 5 II為官方比賽用機
2月2日消息,今日,索尼Xperia官方通過微博宣布,索尼正式成為2021穿越火線:槍戰(zhàn)王者職業(yè)聯(lián)賽首席合作伙伴,同時,索尼Xperia 5 II也成為...
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽車感性負載控制
雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡化汽車電磁閥控制電路。
Nexperia推適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無引腳ESD保護器件,支持使用AOI工具
Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管,具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能兼容AOI,出色的RF性能。
Nexperia為多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域貢獻力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運用在不同的汽車應(yīng)用中。
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。
Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器
采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝,能有效節(jié)省空間。
2020-10-12 標簽:led驅(qū)動器光學(xué)檢測Nexperia 1017 0
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護,尤其是在緊湊的無線應(yīng)用中。
Nexperia推出四款全新兼具高信號完整性的TrEOS ESD保護器件
具備行業(yè)基準性能的器件,符合AEC-Q101標準,可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù);中芯國際回復(fù)首輪問詢…
據(jù)有關(guān)媒體報道,近段時間內(nèi),包括蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi),都紛紛向臺積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個耐人尋味的時間點,因為美方5月...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 標簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3429 0
Nexperia的鍺化硅整流器問市,兼具高效、穩(wěn)定于一身
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基...
Nexperia推出反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe設(shè)備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業(yè)標準的節(jié)省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車等要求嚴格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過36%的空間。
TrEOS二極管完全支持USB4TM標準;具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性
Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
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