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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 6897 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...

2024-08-02 標(biāo)簽：集成電路 MOS管 NMOS 1959 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場(chǎng)，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電 NMOS 4584 0

應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中...

2024-07-29 標(biāo)簽：NMOS smt 工藝流程 2464 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 1228 0

場(chǎng)效應(yīng)管怎樣調(diào)節(jié)電流

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過(guò)控制其柵極（Gate）電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場(chǎng)效...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS 2390 0

場(chǎng)效應(yīng)管的電流方向怎么判斷

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）的電流方向判斷，主要依據(jù)其類型（N溝道或P溝道）以及源極（S）、漏極（D）和柵極（...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS 4415 0

DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-06-24 標(biāo)簽：NMOS 自舉 DCDC 1428 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)

在集成電路和微電子領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是一種基本的電子元件，根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 CMOS NMOS 1.2萬(wàn) 0

CMOS與NMOS技術(shù)的區(qū)別差異

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）作為兩種重要的半導(dǎo)體技術(shù)，各自在電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作...

2024-05-22 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 4229 0

MOS管的具體應(yīng)用電路

電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；

2024-04-27 標(biāo)簽：放大電路 MOS管 NMOS 2208 0

MOS管為什么會(huì)冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享

當(dāng)VGS小于一定的電壓值，DS極就會(huì)導(dǎo)通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...

2024-04-12 標(biāo)簽：示波器 MOS管 NMOS 5959 0

NMOS LDO原理概括 NMOS LDO原理詳細(xì)分析

NMOS LDO詳細(xì)工作原理見圖2-17，圖中是NMOS的輸出特性曲線，讓我們結(jié)合圖2-16圖2-17分析。假設(shè)一開始LDO工作狀態(tài)在A點(diǎn)，當(dāng)負(fù)載電流突...

2024-06-17 標(biāo)簽：ldo NMOS 3.4萬(wàn) 0

NMOS與PMOS經(jīng)典電源開關(guān)電路的深入解析

NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。

2024-04-10 標(biāo)簽：NMOS 電源開關(guān)PMOS 9565 0

電源開關(guān)電路-NMOS和PMOS區(qū)別

NMOS和PMOS都是MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管的重要類型，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。

2024-04-09 標(biāo)簽：NMOS 電源開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.0萬(wàn) 0

MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析

那這兩張圖是完全等價(jià)的，我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口，也就是有三個(gè)引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他...

2024-04-09 標(biāo)簽：MOS管 NMOS PWM 2061 0

淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗

CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成，動(dòng)態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2024-04-01 標(biāo)簽：NMOS 靜態(tài)功耗 CMOS電路 7782 0

MCU電路上拉電阻、下拉電阻的概念

當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，MCU IO檢測(cè)到0，但是當(dāng)時(shí)開關(guān)開啟時(shí)，IO引腳處于floating狀態(tài)，容易受干擾而處于未知狀態(tài)。這時(shí)可以在IO口上加一個(gè)電阻...

2024-03-29 標(biāo)簽：mcu 上拉電阻下拉電阻 2667 0

一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

看了一眼這個(gè)電路，我感覺(jué)有問(wèn)題，MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通，就跟同事講了，同事說(shuō)這個(gè)電路是之前用過(guò)的，認(rèn)為沒(méi)有問(wèn)題，于是就上電了。

2024-03-22 標(biāo)簽：單片機(jī)NMOS 發(fā)光二極管 811 0

可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間？

許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標(biāo)簽：DRAM NMOS 晶體管 2738 0

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掃地機(jī)器人，又稱自動(dòng)打掃機(jī)、智能吸塵、機(jī)器人吸塵器等，是智能家用電器的一種，能憑借一定的人工智能，自動(dòng)在房間內(nèi)完成地板清理工作。
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單片機(jī)最小系統(tǒng)，或者稱為最小應(yīng)用系統(tǒng)，是指用最少的元件組成的單片機(jī)可以工作的系統(tǒng)，一般包括電源，晶振，復(fù)位電路三部分。
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可編程邏輯控制器是種專門為在工業(yè)環(huán)境下應(yīng)用而設(shè)計(jì)的數(shù)字運(yùn)算操作電子系統(tǒng)。它采用一種可編程的存儲(chǔ)器，在其內(nèi)部存儲(chǔ)執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時(shí)、計(jì)數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等操作的指令，通過(guò)數(shù)字式或模擬式的輸入輸出來(lái)控制各種類型的機(jī)械設(shè)備或生產(chǎn)過(guò)程。
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智能裝備，指具有感知、分析、推理、決策、控制功能的制造裝備，它是先進(jìn)制造技術(shù)、信息技術(shù)和智能技術(shù)的集成和深度融合。中國(guó)重點(diǎn)推進(jìn)高檔數(shù)控機(jī)床與基礎(chǔ)制造裝備，自動(dòng)化成套生產(chǎn)線，智能控制系統(tǒng)，精密和智能儀器儀表與試驗(yàn)設(shè)備，關(guān)鍵基礎(chǔ)零部件、元器件及通用部件，智能專用裝備的發(fā)展。
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3D成像是靠人兩眼的視覺(jué)差產(chǎn)生的。人的兩眼（瞳孔）之間一般會(huì)有8厘米左右的距離。要讓人看到3D影像，就必須讓左眼和右眼看到不同的影像，使兩副畫面產(chǎn)生一定差距，也就是模擬實(shí)際人眼觀看時(shí)的情況。3D的立體感覺(jué)就是如此由來(lái)的。
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能源互聯(lián)網(wǎng)可理解是綜合運(yùn)用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，信息技術(shù)和智能管理技術(shù)，將大量由分布式能量采集裝置，分布式能量?jī)?chǔ)存裝置和各種類型負(fù)載構(gòu)成的新型電力網(wǎng)絡(luò)、石油網(wǎng)絡(luò)、天然氣網(wǎng)絡(luò)等能源節(jié)點(diǎn)互聯(lián)起來(lái)，以實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)的能量對(duì)等交換與共享網(wǎng)絡(luò)。
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培養(yǎng)箱

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培養(yǎng)箱，是指溫度可控的，主要用于培養(yǎng)微生物、植物和動(dòng)物細(xì)胞的箱體裝置，有的具有制冷和加熱的雙向調(diào)溫系統(tǒng)，是生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保等科研部門的基本實(shí)驗(yàn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于恒溫培養(yǎng)、恒溫反應(yīng)等試驗(yàn)。
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永磁無(wú)刷電機(jī)

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　　永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)是通過(guò)電子電路換相或電流控制的永磁電動(dòng)機(jī)。永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)有正弦波驅(qū)動(dòng)和方波驅(qū)動(dòng)兩種型式；驅(qū)動(dòng)電流為矩形波的通常稱為永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)，驅(qū)動(dòng)電流為正弦波的通常稱為永磁交流伺服電動(dòng)機(jī)，接傳感類型可分為有傳感器電動(dòng)機(jī)和正傳感器電動(dòng)機(jī)。
新松

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新松機(jī)器人自動(dòng)化股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“新松”）成立于2000年，隸屬中國(guó)科學(xué)院，是一家以機(jī)器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國(guó)家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化基地，新松擁有完整的機(jī)器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。

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