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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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NMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路和降壓電路設(shè)計(jì)
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。因此當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)出一個(gè)電子產(chǎn)品,最先就應(yīng)...
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開(kāi)始流過(guò)的瞬間,電容充電...
常用MOS電源開(kāi)關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開(kāi)關(guān)電路 5.9萬(wàn) 0
MOS管防反接防過(guò)壓電路圖 MOS管防反接防過(guò)壓電路設(shè)計(jì)方案
Vin正常輸入電壓時(shí),穩(wěn)壓管沒(méi)有反向擊穿,R3,R4電流基本為0。(個(gè)人理解:首先對(duì)于D1這個(gè)穩(wěn)壓管的鉗位電壓一定是稍微大于電源正常的工作電壓的,看做是...
NMOS開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路原理圖講解
R25/100R 的作用:防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓,保護(hù)NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況...
2023-08-16 標(biāo)簽:電路原理圖NMOS驅(qū)動(dòng)電路 3383 0
電源開(kāi)關(guān)電路圖講解:NMOS、PMOS
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通,PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 標(biāo)簽:led開(kāi)關(guān)電路NMOS 9703 0
pmos和nmos的工作原理 MOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把...
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)NMOS 1.1萬(wàn) 0
MOS管電源開(kāi)關(guān)電路的缺點(diǎn)
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開(kāi)關(guān)電路,控制電源的目的是省電...
2023-07-31 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管NMOS 3618 0
NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計(jì)
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會(huì)燒壞,那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了,運(yùn)用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
引言:在開(kāi)始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來(lái)回顧MOS開(kāi)啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開(kāi)啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿(mǎn)...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 3444 0
使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路
本文將討論使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路。
汽車(chē)電源線上的脈沖干擾,PMOS防反保護(hù)電路的缺點(diǎn)
汽車(chē)電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車(chē)電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車(chē)電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障...
2023-07-12 標(biāo)簽:NMOS脈沖汽車(chē)電源系統(tǒng) 2360 0
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無(wú)論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4401 0
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。
CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析
采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。
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