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標(biāo)簽 > nmos

nmos

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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

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設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...

2023-06-14 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 2776 0

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引言:逆變器,inverter,即將直流電DC轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為交流電AC的裝置,小功率輸出的可以由集成方案解決,功率稍大的都是采用分立方案,本節(jié)主要簡(jiǎn)述分立式逆...

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2023-06-12 標(biāo)簽:鋰電池電池管理MOSFET 4169 0

四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解

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“晶體管開(kāi)關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱“模擬開(kāi)關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開(kāi)關(guān)(Logic Switch)...

2023-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管NMOS 3918 0

半導(dǎo)體離子注入工藝講解

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2023-06-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝NMOS 7241 0

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由于此結(jié)構(gòu)畫(huà)出的電路圖有點(diǎn)兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個(gè)上電阻接一個(gè)NPN型晶體管的集電極,這個(gè)管子的發(fā)射極...

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2023-06-05 標(biāo)簽:MOS管NMOSFET 2629 0

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MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō),三極管有N管和P管,同樣的,MOS管也有N型和P型。

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都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管NMOS 4362 0

MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線

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根據(jù)上一篇對(duì)CMOS工作原理的分析,我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域,以NMOS為例。

2023-04-25 標(biāo)簽:三極管MOS管NMOS 3.9萬(wàn) 0

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...

2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2390 0

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NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí),漏源兩端的溝道存在阻性連接,以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

2023-04-17 標(biāo)簽:電流NMOS電壓 4438 0

基于CMOS的非門、與非門、或非門設(shè)計(jì)

利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。

2023-04-11 標(biāo)簽:CMOSNMOS非門 1.1萬(wàn) 0

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