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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計(jì)
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會(huì)燒壞,那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了,運(yùn)用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
引言:在開(kāi)始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來(lái)回顧MOS開(kāi)啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開(kāi)啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 3678 0
使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路
本文將討論使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路。
汽車(chē)電源線上的脈沖干擾,PMOS防反保護(hù)電路的缺點(diǎn)
汽車(chē)電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車(chē)電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車(chē)電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障...
2023-07-12 標(biāo)簽:NMOS脈沖汽車(chē)電源系統(tǒng) 2507 0
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無(wú)論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4538 0
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。
CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析
采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。
引言:和上一節(jié)不同的逆變器(傳送門(mén):FCD-6:逆變器)不同的是,本節(jié)簡(jiǎn)述的整流器是和逆變器相反的一個(gè)過(guò)程,即將交流電AC轉(zhuǎn)換為直流電DC。小功率輸入的...
引言:GPIO,即General purpose input output,通用輸入輸出端口,是可以根據(jù)實(shí)際使用場(chǎng)景需求來(lái)用軟件來(lái)配置的引腳。需要注意的...
使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)防反保護(hù)電路設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
2023-06-14 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 2996 0
引言:逆變器,inverter,即將直流電DC轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為交流電AC的裝置,小功率輸出的可以由集成方案解決,功率稍大的都是采用分立方案,本節(jié)主要簡(jiǎn)述分立式逆...
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
“晶體管開(kāi)關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱“模擬開(kāi)關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開(kāi)關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管NMOS 4065 0
阱區(qū)注入的工藝說(shuō)明如下圖所示,是高能量離子注入過(guò)程,因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi),而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
為什么叫圖騰柱?圖騰柱驅(qū)動(dòng)的作用與原理?
由于此結(jié)構(gòu)畫(huà)出的電路圖有點(diǎn)兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個(gè)上電阻接一個(gè)NPN型晶體管的集電極,這個(gè)管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源邏輯電路 1.6萬(wàn) 0
引言:MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi),一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1074 0
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