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pmos管技術(shù)

決定低壓降穩(wěn)壓器LDO壓降的因素介紹

LDO（低壓降穩(wěn)壓器）的典型特性便是壓降。因為它的名稱以及其縮寫由此而來。

2023-09-22 標(biāo)簽：線性穩(wěn)壓器誤差放大器低壓降穩(wěn)壓器 2452 0

二極管與MOS管電路怎樣防反接呢？

以我們平時最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規(guī)情況下，二極管它是串聯(lián)在電路當(dāng)中，用來保護后級電路免受電源反接損壞。

2023-09-22 標(biāo)簽：保護電路 MOS管肖特基二極管 964 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管氮化鎵 9293 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說的簡單點就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫原理圖一樣，開始是設(shè)計庫，后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 4491 0

在Virtuoso中認(rèn)識PMOS管和NMOS管

具體的在版圖設(shè)計中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧

2023-09-12 標(biāo)簽：反相器 CMOS晶體管 Virtuoso 1.1萬 0

MOS管防電源反接電路圖 MOS管防電源反接電路設(shè)計

今天一如既往的給大家分享干貨，之前寫了二極管防電源反接電路，今天分享MOS管防電源反接電路。

2023-09-06 標(biāo)簽：二極管電路圖 MOS管 3616 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標(biāo)簽：CMOS IC芯片碳化硅 1585 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

2023-08-11 標(biāo)簽：fpga sram CMOS工藝 3042 0

如何搭載一個負載開關(guān)電路load switch？

在很多電路中，一個電源可能對應(yīng)多個負載，有時候要切換負載的供電，有時候要對負載進行限流，通常的方法可以用PMIC去操作不同的負載，也可以使用負載開關(guān)去操作。

2023-08-02 標(biāo)簽：電容器仿真器自舉電路 1860 0

MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 TTL電平 4148 0

CMOS反相器電路及其設(shè)計和分析方法

MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位，因為MOSFET的開關(guān)特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 反相器 2.4萬 0

電流源負載共源放大器仿真設(shè)計

共源級放大器，負載為電流源，電流源采用電流鏡實現(xiàn)，偏置為電阻與電流鏡實現(xiàn)的簡單偏置。

2023-07-07 標(biāo)簽：放大器電流鏡偏置電路 3683 0

Class-AB輸出級靜態(tài)工作點的偏置設(shè)計淺析

采用Class-AB輸出級設(shè)計的運放可在較低的靜態(tài)電流下實現(xiàn)軌對軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管電流鏡偏置電路 2147 0

一個簡單的過壓保護電路

簡單的過壓保護電路一般加個TVS可以實現(xiàn)，當(dāng)外部有瞬間高能量沖擊時候它能夠把這股能量抑制下來，雖然功率高，上千W都可以，但是維持抑制的時間很短很短，萬一...

2023-07-07 標(biāo)簽：三極管 TVS pnp 1667 0

用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動電路設(shè)計

下拉晶體管源極輸出端即為啟動電路的啟動節(jié)點，該啟動節(jié)點連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極，啟動電路工作時將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管電流鏡晶體管 5178 0

列舉一些常見的PMOS管應(yīng)用

MOSFET作為OBC，電調(diào)，BMS和Charger，各類數(shù)字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOSFET 正激電源鉗位電路 6552 0

用CMOS傳輸門實現(xiàn)一個異或門電路

用CMOS傳輸門實現(xiàn)一個雙路開關(guān)電路，在電路上標(biāo)明輸入端和輸出端，并寫出輸出的邏輯表達式。

2023-07-06 標(biāo)簽：CMOS 門電路模擬器 1.5萬 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。

2023-07-06 標(biāo)簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 4826 0

gm/Id方法設(shè)計二級OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標(biāo)簽：放大器濾波器電源電壓 5260 0

gm/Id方法設(shè)計二級OTA(1)—器件仿真

gm/Id方法是設(shè)計電路中寬長比的重要方法

2023-07-05 標(biāo)簽：仿真器 PMOS管 3061 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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