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pmos管技術(shù)

最近從網(wǎng)上看到一個(gè)單鍵電子開(kāi)關(guān)電路，覺(jué)得還挺有意思的，比較適合DIY。雖然之前也分析過(guò)一個(gè)單鍵電子開(kāi)關(guān)電路，但是相對(duì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)時(shí)的電路還是比較繁瑣的，用的...

2023-06-30 標(biāo)簽：三極管開(kāi)關(guān)電路元器件 1714 0

為什么時(shí)鐘樹(shù)上要用clock inverter(min pulse width check)？

最小脈沖寬度檢查可確保時(shí)鐘信號(hào)的寬度足夠?qū)?，以便采集到正確的數(shù)據(jù)，保證設(shè)計(jì)功能。

2023-06-29 標(biāo)簽：寄存器 SDC VDD 2069 0

淺析芯片功耗的控制方法與驗(yàn)證方式

隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升，功耗成為近年來(lái)芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越關(guān)注的話題。對(duì)功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析，用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。

2023-06-29 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 6744 0

回顧下功耗的定義及其組成部分并總結(jié)降低功耗的常用方案

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大

2023-06-29 標(biāo)簽：CMOS 寄存器 IC設(shè)計(jì) 3353 0

MOS管的最常見(jiàn)應(yīng)用—開(kāi)關(guān)

如下圖所示：當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí)，PQ27截止，此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導(dǎo)通。

2023-06-27 標(biāo)簽：MOS管 NMOS管 PMOS管 922 0

自助脈搏波血壓計(jì)檢查結(jié)果不能?打印的問(wèn)題分析

由于測(cè)量該電路元器件都正常，因此懷疑打印機(jī)的打印功能是否是由軟件可以控制其開(kāi)關(guān)？因此，懷疑打印機(jī)功能應(yīng)該是被軟件關(guān)閉了。

2023-06-27 標(biāo)簽：電路元器件血壓計(jì)PMOS管 1155 0

從一個(gè)反相器開(kāi)始說(shuō)時(shí)序

看到文章的標(biāo)題，我猜您也許會(huì)覺(jué)得反相器很簡(jiǎn)單，但其實(shí)反相器是所有數(shù)字設(shè)計(jì)的基本核心單元。

2023-06-27 標(biāo)簽：反相器晶體管電容充放電 2226 0

一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開(kāi)關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。

2023-06-20 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS管 7473 0

CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析

采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-06-18 標(biāo)簽：NMOS 電流鏡偏置電壓 4090 0

電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例

這種高壓側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換電路可以為接地負(fù)載提供良好可調(diào)電流。此電路結(jié)構(gòu)采用兩級(jí)結(jié)構(gòu)，一級(jí)為OPA+NMOS，將V~IN~轉(zhuǎn)化為電源參考信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)第二級(jí)OP...

2023-06-13 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器驅(qū)動(dòng)電源 OPA 7917 0

淺談Latch-up（二）

目前通用的Latch-up測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是JESD78E。該標(biāo)準(zhǔn)中將Latch-up測(cè)試分為兩種：1.電流測(cè)試 I-test，用于測(cè)試非電源管腳；2.電壓測(cè)試...

2023-06-12 標(biāo)簽：三極管 SCR VDD 1.0萬(wàn) 0

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開(kāi)關(guān)？

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來(lái)看看不同類型的負(fù)載開(kāi)關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開(kāi)，由外部啟用信號(hào)控制開(kāi)關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電源 3382 0

低功耗技術(shù)（一）動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗

翻轉(zhuǎn)功耗是由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗，其推導(dǎo)過(guò)程很簡(jiǎn)單，但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。

2023-06-05 標(biāo)簽：反相器晶體管 VDD 4539 0

MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)

前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號(hào)，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家...

2023-04-25 標(biāo)簽：模擬電路 MOSFET MOS管 5517 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性，從下圖可窺一斑，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化，45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽：NMOS 低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4386 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(二)

前面解決了MOS管的接法問(wèn)題，接下來(lái)談?wù)凪OS管的開(kāi)關(guān)條件。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOS管電平 N溝道 4632 0

NMOS管和PMOS管的原理、選型及應(yīng)用

如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 5073 0

NMOS管和PMOS管的原理介紹及應(yīng)用實(shí)例

　如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-10 標(biāo)簽：二極管 MOS管 NMOS管 2.6萬(wàn) 0

NMOS和PMOS管的實(shí)例測(cè)試

　　原理介紹、選型，我就不多說(shuō)了，參考上一編我發(fā)的文章，本實(shí)例重點(diǎn)看一下防反接電路，我通過(guò)軟件進(jìn)行模擬，加入電壓表，電流進(jìn)行測(cè)試，直觀的顯示結(jié)果，也不用...

2023-03-10 標(biāo)簽：測(cè)試電壓 NMOS管 4235 0

常用的電壓反接保護(hù)電路分享

電壓反接保護(hù)（Reverse Voltage Protect, RVP）電路主要用在需要直流電壓供電電源的輸入端，用于防止輸入電壓極性反接而造成電路系統(tǒng)...

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路電壓 4159 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”

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