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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4401 0
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒有。
對(duì)于磚塊電源來說,150瓦以下有源鉗位正激是常用的拓?fù)洌治鏊奈恼乱埠芏?,我這里就不濫竽充數(shù),關(guān)公面前耍大刀了。我說些我看過的文獻(xiàn)里沒提到過的對(duì)性能又...
LDO(Low Dropout Regulator),是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,所謂低壓差是一個(gè)相對(duì)的概念,相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說輸入輸出壓差小。傳統(tǒng)...
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管NMOS 3918 0
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比V...
引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
通過電阻R1、R2對(duì)輸出電壓進(jìn)行采樣,將采集的電壓與基準(zhǔn)電壓(期望輸出電壓值)進(jìn)行比較、放大,再通過PMOS管柵極(PNP三極管基極)反饋給輸入部分,通...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對(duì)三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1261 0
描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡(jiǎn)單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
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