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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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單鍵電子開關(guān)電路圖 單鍵電子開關(guān)電路原理分析
最近從網(wǎng)上看到一個(gè)單鍵電子開關(guān)電路,覺得還挺有意思的,比較適合DIY。雖然之前也分析過一個(gè)單鍵電子開關(guān)電路,但是相對來說,當(dāng)時(shí)的電路還是比較繁瑣的,用的...
2023-07-19 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路電子開關(guān) 3461 0
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4538 0
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒有。
對于磚塊電源來說,150瓦以下有源鉗位正激是常用的拓?fù)?,分析它的文章也很多,我這里就不濫竽充數(shù),關(guān)公面前耍大刀了。我說些我看過的文獻(xiàn)里沒提到過的對性能又...
LDO(Low Dropout Regulator),是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,所謂低壓差是一個(gè)相對的概念,相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說輸入輸出壓差小。傳統(tǒng)...
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管NMOS 4069 0
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比V...
引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1467 0
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