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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 2903 0
TVS是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè)PN結(jié)或多個(gè)PN結(jié)集成的器件,其電氣特性是由PN結(jié)面積、摻雜濃度及晶片阻質(zhì)決定的,耐突波電流的能力與PN結(jié)面積成正比。 ...
穩(wěn)壓二極管,也稱齊納二極管,屬二極管系列中的一種。它的主要特性是PN結(jié)工作在反向擊穿區(qū)并表現(xiàn)出具有穩(wěn)定電壓的特性。既然屬于二極管,那它也具有二極管的正向...
2023-05-09 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管PN結(jié) 1.4萬(wàn) 0
穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。
2023-04-27 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管電壓PN結(jié) 2748 0
電接口設(shè)計(jì)中,反射衰減通常在高頻情況下變差,這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān),這種情況下,盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。
我們平時(shí)所說(shuō)的三極管全稱是雙極性晶體管(bipolar junction transistor),具有兩個(gè)PN結(jié),PNP型三極管電路符號(hào)如下所示,通常有...
前幾周研究生復(fù)試,很多考研黨在搜索三極管的管腳判斷,原來(lái)是實(shí)驗(yàn)考試中經(jīng)常有考察三極管實(shí)物的引腳判斷。
2023-04-10 標(biāo)簽:三極管數(shù)字萬(wàn)用表PN結(jié) 7767 0
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點(diǎn)。
硬件基礎(chǔ),模擬電子經(jīng)典200問(wèn)
不是線性的,加上正向電壓時(shí),P區(qū)的空穴與N區(qū)的電子在正向電壓所建立的電場(chǎng)下相互吸引產(chǎn)生復(fù)合現(xiàn)象,導(dǎo)致阻擋層變薄,正向電流隨電壓的增長(zhǎng)按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng),宏觀...
2023-04-06 標(biāo)簽:電流PN結(jié)半導(dǎo)體材料 694 0
電力二極管(Power Diode)自20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用,但其結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單,工作可靠,直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。
二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。 1.勢(shì)壘電容CB(Cr) 前面已經(jīng)講過(guò),PN結(jié)內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子,其電...
開(kāi)關(guān)電路是一種常用的功能電路,例如家庭中的照明電路中的開(kāi)關(guān),各種民用電器中的電源開(kāi)關(guān)等。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電路LC 1754 0
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái),從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓,少數(shù)載流子難...
2023-03-17 標(biāo)簽:發(fā)光二極管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 1352 0
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