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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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二極管是一種半導(dǎo)體器件,其主要功能是允許電流單向流動(dòng)。在電子電路中,二極管被廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn)壓、開關(guān)等場(chǎng)合。二極管的最大整流電流是指在保證二極管正常工...
2024-07-24 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 3316 0
IGBT的續(xù)流二極管是個(gè)很有意思的東西,對(duì)模塊整體的性能影響很大,今天就聊聊它。
2024-10-15 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)快恢復(fù)二極管 3283 0
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡(jiǎn)稱BTD)是一種具有雙向?qū)ㄌ匦缘陌雽?dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,如過壓保護(hù)...
穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)和普通二極管(Standard Diode)雖然都屬于二極管的范疇,但它們?cè)诠ぷ髟?、特性和?yīng)用方面存在明顯的區(qū)別。...
2024-08-16 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓PN結(jié) 3169 0
怎么設(shè)計(jì)三極管電路,使三極管的工作電流最大?三極管有三個(gè)工作區(qū)間:截止、放大和飽和,三極管達(dá)到飽和時(shí)工作電流是最大的,那么怎么設(shè)計(jì)使三極管工作在飽和區(qū)呢?
在實(shí)際應(yīng)用中,基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會(huì)受到動(dòng)態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中,基極電流(Ib)和集電極電流(Ic)是雙極型晶體管(BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 3066 0
功率二極管(Power Diode)是一種具有特殊設(shè)計(jì)的分立式電力半導(dǎo)體器件,其電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)超一般的小信號(hào)二極管。它在電力電子和電路設(shè)計(jì)中扮演著...
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡(jiǎn)稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變影響的半導(dǎo)體器件。它能夠快速響應(yīng)...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備PN結(jié)半導(dǎo)體器件 3035 0
下圖復(fù)合三極管的輸出電壓U是下管E結(jié)導(dǎo)通壓降減去C結(jié)壓降與上管E結(jié)壓降的并聯(lián)值,U=Vbea-(Vbca//Vbeb),當(dāng)Isc《
雙向二極管和單向二極管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。 工作原理 單向二極管,又稱為整流二極管,其工作原理基于PN結(jié)的特性。...
半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵參數(shù)解析:從基礎(chǔ)到應(yīng)用
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括半導(dǎo)...
2024-06-18 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體封裝 2982 0
光電二極管,作為一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的關(guān)鍵器件,在現(xiàn)代電子技術(shù)中占據(jù)了舉足輕重的地位。從通訊、成像到傳感器技術(shù),光電二極管的應(yīng)用無處不在,為現(xiàn)代科技...
雙向瞬態(tài)抑制二極管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor,簡(jiǎn)稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2915 0
我們知道PN結(jié)半導(dǎo)體具有單相導(dǎo)電的性能,但是由PN結(jié)構(gòu)成的各種二極管(Diode)器件的單相導(dǎo)電性是沒辦法進(jìn)行主動(dòng)控制的,因此這類器件也稱為 **被動(dòng)器...
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 2904 0
由于達(dá)林頓管的b、c間僅有一個(gè)PN結(jié),所以b、c極間應(yīng)為單向?qū)щ娦?,而be結(jié)上有兩個(gè)PN結(jié),因此可以通過這些特性很快確認(rèn)引腳功能。
2022-12-28 標(biāo)簽:數(shù)字萬用表晶體管PN結(jié) 2903 0
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