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隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。

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ram技術(shù)

基于微處理器的游戲機(jī)使用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

處理器可以輕松地將RAM連接到其標(biāo)準(zhǔn)地址，數(shù)據(jù)和控制I/O，并且可以以最少的固件開銷訪問設(shè)備，而磁盤驅(qū)動(dòng)器或其他閃存則不是這種情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)器 RAM 1832 0

1納米芯片代表什么？

據(jù)悉，下一代EUV光刻機(jī)必須要升級(jí)下一代的高NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn)，從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著更分辨率更高，是3nm之后...

2022-11-30 標(biāo)簽：RAM ASML EUV光刻機(jī) 3.6萬 0

一文搞懂各種RAM、ROM存儲(chǔ)的異同點(diǎn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐...

2022-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ROM 3265 0

為什么單片機(jī)內(nèi)部RAM這么少？

也許大家都注意到了，在過去的20多年的時(shí)間里，微控制器（MCU）經(jīng)歷了跨越式的發(fā)展，這反映在很多方面，比如更高的系統(tǒng)時(shí)鐘、更多的外設(shè)模塊、更加便利的調(diào)試...

2022-11-28 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)mcu 1066 0

STM32單片機(jī)擴(kuò)展下的IPUS SQPI PSRAM應(yīng)用領(lǐng)域

在入門級(jí)智能音箱或故事機(jī)上增加PSRAM作為語音數(shù)據(jù)的緩存，可以解決用戶端網(wǎng)絡(luò)連接不穩(wěn)定、或帶寬共享被卡或云端大量并發(fā)請(qǐng)求造成的響應(yīng)不及時(shí)所引起的語音播...

2022-11-18 標(biāo)簽：RAM STM32單片機(jī)SRAM芯片 3563 0

RAM是什么？它都有哪些特點(diǎn)呢

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比顯得微不足道。

2022-11-17 標(biāo)簽：電容器 RAM 易失性存儲(chǔ)器 5587 0

MCU系統(tǒng)設(shè)計(jì)中Iot RAM的潛在應(yīng)用

通過用IoT ram替換DRAM，消除了對(duì)外部刷新控制器的需求，這降低了接口的復(fù)雜性和相關(guān)的驗(yàn)證成本，利用了外部SPI接口的使用，同時(shí)保持了最新IoT應(yīng)...

2022-11-17 標(biāo)簽：控制器 RAM SPI接口 538 0

MCUXpresso IDE下將應(yīng)用程序RW段分散鏈接的幾種方法

早期的 MCU 芯片，一般都會(huì)嵌入內(nèi)部 Flash 和 RAM，并且 Flash 和 RAM 都只有一塊（即均在連續(xù)的映射地址范圍內(nèi)），因此在鏈接應(yīng)用程...

2022-11-17 標(biāo)簽：SDRAM RAM Flash單片機(jī) 2345 0

51單片機(jī)和STM32單片機(jī)到底他們有什么區(qū)別呢

51單片機(jī)是對(duì)所有兼容Intel 8031指令系統(tǒng)的單片機(jī)的統(tǒng)稱。該系列單片機(jī)的始祖是Intel的8004單片機(jī)，后來隨著Flash rom 技術(shù)的發(fā)展...

2022-11-16 標(biāo)簽：RAM 51單片機(jī)STM32單片機(jī) 1.8萬 0

主要應(yīng)用于測(cè)量和標(biāo)定ECU內(nèi)部參數(shù)的XCP

XCP的主要應(yīng)用于測(cè)量和標(biāo)定ECU內(nèi)部參數(shù)。此協(xié)議能夠使數(shù)據(jù)采集工作與ECU內(nèi)部運(yùn)行的任務(wù)和中斷同步，從而保證每當(dāng)ECU軟件更新參數(shù)時(shí)，能快速采集到所需...

2022-11-11 標(biāo)簽：RAM EEPROM ecu 2127 0

進(jìn)行FPGA代碼實(shí)現(xiàn)過程中的問題及解決辦法

一般來說，對(duì)于FPGA芯片，使用的資源越多，功耗越大；使用的時(shí)鐘頻率越高，功耗越大。

2022-11-08 標(biāo)簽：dsp RAM FPGA芯片 3441 0

DTC是什么組成及特點(diǎn)介紹

DTC顧名思義即為診斷故障碼，一種用來記錄當(dāng)某ECU發(fā)生或檢測(cè)到某種故障時(shí)所呈現(xiàn)在大家目前的標(biāo)識(shí)碼，通過該標(biāo)識(shí)碼便可以查表的方式獲得該故障信息，如故障觸...

2022-10-21 標(biāo)簽：RAM ecu 1.6萬 0

FPGA內(nèi)部詳細(xì)架構(gòu)解析

FPGA 芯片整體架構(gòu)如下所示，大體按照時(shí)鐘域劃分的，即根據(jù)不同的工藝、器件速度和對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘進(jìn)行劃分。

2022-10-20 標(biāo)簽：fpga RAM 可編程邏輯 2360 0

隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的工作過程及類型

　　隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。

2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 5301 0

80C51單片機(jī)的內(nèi)部RAM簡(jiǎn)介

80C51內(nèi)部RAM有256個(gè)單元，通常在空間上分為兩個(gè)區(qū)。

2022-10-18 標(biāo)簽：單片機(jī)寄存器 RAM 1.4萬 0

怎樣去配置ZYNQ空間的詳細(xì)地址呢

然后從FFFC_0000開始的256KB中分配給OCM(OCM分配方式有兩種，后面會(huì)說到）。

2022-10-18 標(biāo)簽：RAM DDR Zynq 3741 0

PLC模擬量常用的輸入濾波方法

相當(dāng)于“中位值濾波法”+“算術(shù)平均濾波法”，連續(xù)采樣N個(gè)數(shù)據(jù)，去掉一個(gè)最大值和一個(gè)最小值，然后計(jì)算N-2個(gè)數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值，N值的選取：3~14

2022-10-14 標(biāo)簽：濾波 RAM 濾波法 3193 0

Vivado中設(shè)計(jì)鎖定與增量編譯方法簡(jiǎn)析

增量實(shí)現(xiàn)由兩個(gè)流程構(gòu)成：原始流程和增量流程，如圖所示。其中，原始流程提供網(wǎng)表。

2022-10-10 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計(jì)RAM DCP 2248 0

室內(nèi)照明天花板頂燈模擬示例

只有通過物體4光線才能到物體3（物體3是相機(jī)外殼），為設(shè)置光線不直接進(jìn)入探測(cè)器，物體3屬性為吸收。

2022-10-09 標(biāo)簽：探測(cè)器 RAM 651 0

嵌入式開發(fā)出現(xiàn)Bug該如何去解決呢

程序長時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)異常，問題難以復(fù)現(xiàn)，可以搭建測(cè)試環(huán)境多套設(shè)備同時(shí)進(jìn)行測(cè)試。

2022-10-09 標(biāo)簽：寄存器 RAM 嵌入式開發(fā) 1307 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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