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標(biāo)簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說(shuō),關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
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字節(jié)跳動(dòng)的進(jìn)與退:低調(diào)發(fā)起MR市場(chǎng)攻勢(shì),TikTok國(guó)際市場(chǎng)受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)通過(guò)擴(kuò)大投資版圖,尋找第二增長(zhǎng)曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動(dòng)投資了昕原半導(dǎo)體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標(biāo)簽:虛擬現(xiàn)實(shí)MRreram 6382 0
2023年ReRAM技術(shù)開(kāi)始進(jìn)入主流市場(chǎng)
ReRAM 代工工藝由臺(tái)積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過(guò)收購(gòu) Adesto)、富士通、Microchip...
國(guó)產(chǎn)存算一體超速前進(jìn) 存算一體架構(gòu)有機(jī)會(huì)解決很多AI面臨的問(wèn)題
僅僅在五、六年前,人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴(kuò)張,AI算力和運(yùn)算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)級(jí)增加,對(duì)算力的需求空前,但摩爾...
億鑄科技聚焦國(guó)產(chǎn)存算一體AI大算力芯片,28納米工藝實(shí)現(xiàn)10倍能效比
“數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵資源是數(shù)據(jù)、算力和算法,其中數(shù)據(jù)是新生產(chǎn)資料,算力是新生產(chǎn)力,算法是新生產(chǎn)關(guān)系,三者構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代最基本的生產(chǎn)基石。” 2021年9月...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器Nand flashMRAM 852 0
以色列的 Weebit Nano 和法國(guó)研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 報(bào)告了電阻式 RAM (ReRAM) 技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展,盡管很少有人準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)段...
ReRAM存算一體AI大算力芯片的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來(lái)越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對(duì)AI應(yīng)用進(jìn)一步發(fā)展...
富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
專注ReRAM新型存儲(chǔ)器,昕原半導(dǎo)體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)公司「昕原半導(dǎo)體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領(lǐng)投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲(chǔ)...
2021-04-06 標(biāo)簽:reram昕原半導(dǎo)體 8482 0
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺(tái),服務(wù)IoT和AI應(yīng)用
Dialog獨(dú)有的且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的CBRAM技術(shù)是一項(xiàng)低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2020-10-20 標(biāo)簽:dialog人工智能嵌入式存儲(chǔ)器 1005 0
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計(jì)劃要等到2022年。 Globalf...
2020-11-17 標(biāo)簽:人工智能reram非易失性存儲(chǔ)器 2224 0
MRAM具有一些獨(dú)特的功能 可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
MRAM PCM還是ReRAM 下一代存儲(chǔ)器非常值得關(guān)注
存儲(chǔ)器芯片開(kāi)發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對(duì)日益增長(zhǎng)的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對(duì)挑戰(zhàn)存儲(chǔ)器制造商選擇改變計(jì)算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點(diǎn)...
ReRAM新存儲(chǔ)技術(shù)有望顛覆目前的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式
在人工智能的認(rèn)知系統(tǒng)里,最重要部分就是通過(guò)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、深度學(xué)習(xí)等技術(shù)讓機(jī)器盡可能像人一樣去思考,而機(jī)器的世界里只有0和1,這就需要海量數(shù)據(jù)來(lái)幫助機(jī)器進(jìn)行判斷。
2019-12-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)reram 1349 0
富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semic...
ReRAM 在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域還是前景可觀的,但在存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存領(lǐng)域,這項(xiàng)技術(shù)將面臨很大的競(jìng)爭(zhēng)。Applied 的 Ping 說(shuō):“它面臨著與已有解決方案的競(jìng)...
AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng) 臺(tái)積電積極推動(dòng)
隨著人工智能(AI)的深度學(xué)習(xí)及機(jī)器學(xué)習(xí)、高效能運(yùn)算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng)裝置的普及,巨量資料組成密集且復(fù)雜,除了在處理器上提供運(yùn)算效能,也需要?jiǎng)?chuàng)新的存儲(chǔ)器...
現(xiàn)在是出現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)的時(shí)候了
到目前為止,新興的非易失性存儲(chǔ)器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM) 和相變存儲(chǔ)器(PCM),由于可擴(kuò)...
2019-04-28 標(biāo)簽:RAMReRAM非易失性存儲(chǔ)器 3375 0
ARM談新興NVM存儲(chǔ)技術(shù) 存儲(chǔ)市場(chǎng)將改變游戲規(guī)則
ARM正在關(guān)注這些前沿的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗锌赡軐?duì)邏輯空間產(chǎn)生巨大的顛覆性,在硬件和軟件平臺(tái)層面也是如此?!坝懈鞣N類型的電阻式RAM和磁性RAM出現(xiàn),TS...
2018-12-24 標(biāo)簽:armTSMC存儲(chǔ)技術(shù) 1849 0
ReRAM存儲(chǔ)器助物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備降低能源消耗
未來(lái)如果該技術(shù)成為全球物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案,將有助除去運(yùn)算與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存之間的界線,有利于以數(shù)據(jù)為中心的運(yùn)算架構(gòu)發(fā)展。
2018-07-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 4108 0
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