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標(biāo)簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說(shuō),關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
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富士通3大存儲(chǔ)技術(shù)將成黑馬,F(xiàn)RAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM
隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)器市場(chǎng)也一場(chǎng)火爆,作為電子設(shè)備系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,性能至關(guān)重要。市面上的存儲(chǔ)器參差不齊,該作何選擇?未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)又該何去何從呢?
富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲(chǔ))用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
2018-05-04 標(biāo)簽:framreram非易失性存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0
ReRAM與NRAM將成全球存儲(chǔ)市場(chǎng)兩大黑馬
在存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)格局中,除了FRAM,不得不提的另外兩個(gè)產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡(jiǎn)略地講,F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄;ReRAM可替代大容量EEPROM;...
ReRAM解決方案帶來(lái)了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的偉大創(chuàng)新
ReRAM解決方案帶來(lái)了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的偉大創(chuàng)新。能夠很容易地、大容量地與邏輯電路、模擬電路和RF組件集成于單個(gè)SoC中,并能夠在無(wú)須電池充電的條件...
2018-01-10 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)reram 3773 0
將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的創(chuàng)新?ReRAM真正已經(jīng)來(lái)臨
ReRAM被業(yè)界認(rèn)為其出現(xiàn)將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一系列創(chuàng)新!過(guò)去幾年,業(yè)界相關(guān)ReRAM的技術(shù)報(bào)道層出不窮,而產(chǎn)品卻并不多見。前不久松下半導(dǎo)體...
在新材料創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上,富士通電子作為領(lǐng)導(dǎo)廠商一直在努力追求最極致的存儲(chǔ)性能,從FRAM到ReRAM以及NRAM。請(qǐng)隨小編一起回顧,我們?cè)谧?..
富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB8...
曾大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際 為何鎖定ReRAM?
比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際,為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM...
2017-03-01 標(biāo)簽:中芯國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 1429 0
比NAND閃存速度快千倍的ReRAM由中芯國(guó)際量產(chǎn)
非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過(guò)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制,開發(fā)出號(hào)稱比NAN...
比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投產(chǎn) 2016年VR銷量630萬(wàn)臺(tái)
物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,覆蓋領(lǐng)域繁多,2017年新年過(guò)后,機(jī)器人、VR、5G領(lǐng)域都有最新產(chǎn)品和頻譜劃分的演進(jìn)工作進(jìn)展,小編匯總最新的新聞,讓大家看到最新的趨勢(shì)。例如...
40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國(guó)際向上走勢(shì)頭勁
在經(jīng)過(guò)2016的一系列擴(kuò)張之后,近日,Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣,再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示,中芯...
作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國(guó)際(SMIC)的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,...
ISSCC:看ReRAM、存儲(chǔ)器帶寬進(jìn)展
在預(yù)定于2013年2月17~21日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)中,多家廠商提出了先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)的相關(guān)論文。 存儲(chǔ)器小組委員會(huì)主席Ke...
Panasonic將量產(chǎn)寫入速度達(dá)全球最高的新型ReRAM產(chǎn)品
日本媒體日刊工業(yè)新聞15日?qǐng)?bào)導(dǎo),Panasonic計(jì)劃在旗下北陸工廠內(nèi)整備出一條活用8吋晶圓、且采用0.18μm制程的產(chǎn)線,并計(jì)劃于2013年1-3月期...
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