如何降低PCB互連設(shè)計(jì)中的RF效應(yīng)呢？

電路板系統(tǒng)的互連包括：芯片到電路板、PCB板內(nèi)互連以及PCB與外部器件之間的三類互連。

2023-03-08 標(biāo)簽：pcbIC設(shè)計(jì)RF 1615 0

具有分布式鎖相環(huán)的相控陣的系統(tǒng)級(jí)LO相位噪聲模型

對(duì)于數(shù)字波束成形相控陣，LO生成考慮的常見實(shí)現(xiàn)方法是將公共參考頻率分配給分布在天線陣列內(nèi)的一系列鎖相環(huán)。利用這些分布式鎖相環(huán)，評(píng)估組合相位噪聲性能的方法...

2022-12-22 標(biāo)簽：接收器RF激勵(lì)器 1613 0

從WiFi收發(fā)器的PCB布局，看射頻電路電源和接地的設(shè)計(jì)方法

射頻(RF)電路的電路板布局應(yīng)在理解電路板結(jié)構(gòu)、電源布線和接地的基本原則的基礎(chǔ)上進(jìn)行。本文探討了相關(guān)的基本原則，并提供了一些實(shí)用的、經(jīng)過驗(yàn)證的電源布線、...

2022-12-02 標(biāo)簽：pcb電路板RF 1607 0

RF功率放大101：處理非理想

本系列的前兩篇關(guān)于RF功率放大器（PA）基礎(chǔ)知識(shí)的文章都做出了這樣的假設(shè)，既可以根據(jù)柵極偏置對(duì)放大器進(jìn)行分類，又可以計(jì)算其最佳情況下的效率。如果這些假設(shè)...

2023-05-20 標(biāo)簽：功率放大器RF電流源 1606 0

一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

所謂，RF MEMS 開關(guān)，是一種是小型的微機(jī)械開關(guān)，功耗低，可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān)，其中觸點(diǎn)打開或關(guān)閉以通...

2023-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體mems機(jī)械 1591 0

解析高性能可調(diào)諧 RF 器件

當(dāng) LTE（Long Term Evolution，長期演進(jìn)技術(shù)）的部署氣勢(shì)重新抬頭，企業(yè)經(jīng)營者與手機(jī)制造商都該明白，4G網(wǎng)絡(luò)并非3G性能萎靡不振時(shí)的萬...

2017-12-09 標(biāo)簽：lteRF 1587 0

如何為系統(tǒng)仿真對(duì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行建模？

本文將推出一系列文章，探討如何為系統(tǒng)仿真的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器建模。 工程師們經(jīng)常想知道。在處理各種設(shè)計(jì)進(jìn)度緊張的項(xiàng)目時(shí)，他們經(jīng)常想知道他們想找到答案但沒有時(shí)間的...

2023-05-03 標(biāo)簽：adcRF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 1583 0

醫(yī)用設(shè)備對(duì)電源提出的挑戰(zhàn)

　　隨著RF治療儀和其它精密電子醫(yī)療設(shè)備的普及，對(duì)于電磁干擾及抗擾度的的要求也越來越高。新的EN60601-1-2第四版EMC標(biāo)準(zhǔn)也對(duì)醫(yī)療設(shè)備的EMC性...

2023-06-08 標(biāo)簽：RFemc電磁干擾 1581 0

檢驗(yàn)RF功率晶體管耐用性測(cè)試方案

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率...

2019-03-18 標(biāo)簽：RF功率晶體管 1561 0

羅德與施瓦茨公司的胎壓傳感器的RF測(cè)試系統(tǒng)方案

在各種車輛中，配備多種多樣射頻接口的模塊和設(shè)備的應(yīng)用日益增長。因?yàn)檫@些模塊必須滿足嚴(yán)格的可靠性要求，所以在調(diào)節(jié)和最終測(cè)試中必須能夠獲得可再現(xiàn)的測(cè)量結(jié)果。...

2017-12-09 標(biāo)簽：藍(lán)牙RF 1560 0

獨(dú)特的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉

通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓?？刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2021-06-02 標(biāo)簽：功率放大器RF柵極驅(qū)動(dòng) 1553 0

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...

2023-05-19 標(biāo)簽：放大器RF氮化鎵 1545 0

ADI高功率硅開關(guān)可節(jié)省大規(guī)模MIMO RF前端設(shè)計(jì)中的偏置功率和外部組件

在時(shí)分雙工 （TDD） 系統(tǒng)中，天線接口納入了開關(guān)功能，以隔離和保護(hù)接收器輸入免受發(fā)送信號(hào)功率的影響。

2021-03-01 標(biāo)簽：adiMIMORF 1542 0