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      標(biāo)簽　>　SDRAM內(nèi)存

      SDRAM內(nèi)存

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      　　SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡稱，SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50%。

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      SDRAM內(nèi)存簡介

      　　SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。SDRAM曾經(jīng)是長時(shí)間使用的主流內(nèi)存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。

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      sdram內(nèi)存技術(shù)

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      sdram內(nèi)存資訊

      三星部分DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片生產(chǎn)線暫停將導(dǎo)致重大損失

      知情人士稱，停電事件很可能會(huì)造成三星數(shù)百萬美元的損失，但不會(huì)出現(xiàn)重大損失。2018年，三星平澤芯片工廠發(fā)生的半小時(shí)停電預(yù)計(jì)導(dǎo)致三星損失了大約500億韓元...

      2020-01-02 標(biāo)簽：三星電子SDRAM內(nèi)存NAND閃存 2972 0

      SDRAM內(nèi)存

      SDRAM內(nèi)存          　　SDRAM是Synchronous...

      2009-12-17 標(biāo)簽：SDRAM內(nèi)存 787 0

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      sdram內(nèi)存數(shù)據(jù)手冊(cè)

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