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標簽 > sic二極管
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SIC二極管電壓過低不穩(wěn)定的調(diào)試方法? 調(diào)試SIC二極管電壓過低不穩(wěn)定的問題需要遵循一定的步驟和方法。本文將詳細介紹如何進行這樣的調(diào)試,并提供一些常見的...
2023-12-21 標簽:SiC二極管恒定電流調(diào)節(jié)器 1009 0
開關電源設計優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vish...
上能電氣&安森美聯(lián)合實驗室揭牌,加速生態(tài)創(chuàng)新
吳強表示,安森美作為全球領先的半導體公司之一,是上能電氣長期以來的重要合作伙伴。本次聯(lián)合實驗室的成立,不僅是雙方合作邁向新高度的標志,也是雙方注重研發(fā)、...
上能電氣+安森美聯(lián)合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作
2月22日,上能電氣與安森美半導體(onsemi)聯(lián)合實驗室揭牌成立。安森美亞太區(qū)高級副總裁David Chow、中國區(qū)銷售副總裁Roy Chia,上能...
SiC需求爆發(fā)!賽道正式開啟,國內(nèi)企業(yè)迅速就位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發(fā)展的一個縮影,對整個電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 4410 0
ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產(chǎn)品開發(fā)。
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱...
英飛凌市場部總監(jiān):智能電網(wǎng)只是“智能”還不夠!
受宏觀經(jīng)濟疲軟影響,2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導...
2013-01-11 標簽:英飛凌MOSFET智能電網(wǎng) 1283 0
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